[發明專利]基于輔助電壓源的串聯IGBT均壓方法及系統有效
| 申請號: | 201910539291.4 | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110350770B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 何怡剛;李獵;何鎏璐;王晨苑 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | H02M1/088 | 分類號: | H02M1/088 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 許美紅 |
| 地址: | 430072 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 輔助 電壓 串聯 igbt 方法 系統 | ||
本發明公開了一種基于輔助電壓源的串聯IGBT均壓方法及系統,其中方法包括以下步驟:(1)檢測各串聯IGBT的端口動態電壓;(2)對各IGBT的端口動態電壓分別進行動態過電壓診斷;(3)若存在動態過電壓,則對該IGBT的柵極提供應急的高電平信號;(4)停止對該IGBT的柵極提供應急的高電平信號,通過輔助電壓源在該IGBT的柵極提供恒定不變的電壓。本發明通過輔助電壓源提供恒定電壓,延長故障IGBT的關斷時間,與其他IGBT同步關斷,實現串聯IGBT均壓的目的。
技術領域
本發明涉及直流輸電領域,尤其涉及一種基于輔助電壓源的串聯IGBT均壓方法及系統。
背景技術
隨著我國經濟不斷發展,在輸配電領域,直流輸電技術在可再生能源并網、分布式發電并網、孤島供電、城市電網供電、異步交流電網互聯等方面得到了較多應用。然而作為直流輸電技術的關鍵設備,電壓源換流器的母線電壓大,故對功率設備的絕緣和耐壓提出了更高的要求。目前,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)串聯技術能有效解決單個IGBT電壓等級低的缺陷,成本低,結構簡單,受到廣泛關注。
IGBT均壓技術存在的主要問題為電壓分布不均勻。其原因包括:1、IGBT自身參數的不一致;2、外圍電路參數的不一致;3、驅動信號的延遲。電壓分布的不均勻可能造成單個IGBT產生過電壓,輕則降低IGBT使用壽命,重則直接造成IGBT損壞,進而影響整個系統的安全穩定。
發明內容
本發明的目的是提供一種簡單可行的抑制串聯IGBT過電壓的方法和系統。
本發明提供了一種基于輔助電壓源的串聯IGBT均壓方法,包括以下步驟:
(1)檢測各串聯IGBT的端口動態電壓;
(2)對各IGBT的端口動態電壓分別進行動態過電壓診斷;
(3)若存在動態過電壓,則對該IGBT的柵極提供應急的高電平信號;
(4)停止對該IGBT的柵極提供應急的高電平信號,通過輔助電壓源在該IGBT的柵極提供恒定不變的電壓。
接上述技術方案,所述動態過電壓診斷在IGBT柵極電壓達到米勒平臺時開始進行診斷。
接上述技術方案,當某一IGBT端口動態電壓超過參考電壓一定比例時,診斷為動態過電壓。
接上述技術方案,該高電平信號的幅值由IGBT柵極驅動信號高電平幅值和IGBT米勒平臺電壓幅值的差值決定。
接上述技術方案,該高電平信號的信號寬度由IGBT端口電壓診斷結果決定,當滿足判據IGBT端口動態電壓小于等于參考電壓時,信號停止。
接上述技術方案,步驟(4)中,輔助電壓源在停止對該IGBT的柵極提供高電平信號的下一個周期開始運行。
接上述技術方案,確定所述輔助電壓源提供的恒定不變的電壓的方法為:
設定趨近于0的第一檢測電壓值Ua,記錄過電壓IGBT與參考IGBT端口電壓UCE達到第一檢測電壓值的時間,分別記為t1、t2,得到過電壓反應延遲時間:
Δtdoff1=t2-t1
設定第二檢測電壓值Ub,記錄過電壓IGBT與參考IGBT端口電壓UCE達到第二檢測電壓值的時間,分別記為t3、t4。通過第一檢測電壓值Ua和第二檢測電壓值Ub預測整個電壓上升時間,得到因為電壓上升斜率差異產生的延遲時間:
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





