[發明專利]一種陣列型保偏多芯光纖

有效

• 申請號: 201910539234.6
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110261956B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 張心賁;唐明;楊晨;孟悅;楊坤;彭慎;張弛;曹蓓蓓;童維軍
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/024
• 分類號: G02B6/024;G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種陣列型保偏多芯光纖，包括有總外包層和纖芯單元，其特征在于還包括有應力單元，所述的纖芯單元和應力單元的分布構成單元陣列，所述的單元陣列中包含一個中心單元且任一單元與其相鄰單元的間距相等，所述的應力單元存在有一對，對稱于一個纖芯單元布設，構成保偏纖芯單元，所述的纖芯單元包括有纖芯和包繞芯層的內包層，纖芯單元和應力單元以外的部分為總外包層；所述的中心單元為纖芯單元，在所述中心單元的纖芯單元相鄰兩側對稱布設應力單元，構成中心保偏纖芯單元；所述的相鄰單元的間距為20～60μm；其余為纖芯單元。

2.按權利要求1所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的單元陣列包括7個單元，為單層正六邊形單元陣列，包含一個位于中心的纖芯單元和對稱于中心的一對應力單元。

3.按權利要求1所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的單元陣列包括19個單元，為雙層正六邊形單元陣列，包含一個位于中心的纖芯單元和對稱于中心的一對應力單元。

4.按權利要求1或2所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的應力單元截面為圓型，直徑范圍為5～45μm，摻雜元素摩爾濃度為5～30％；所述的保偏纖芯1000m長度內的工作波長處偏振串音不大于-10dB。

5.按權利要求1或2所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的纖芯折射率為階躍型，所述纖芯的直徑為5～15μm，纖芯相對于總外包層的相對折射率差為0.15％～0.45％。

6.按權利要求1或2所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的纖芯折射率為漸變型，其折射率表示為n(r)＝n₀·[1-2Δ(r/a)^m]^0.5，0≤r≤a，其中纖芯半徑a為2.5～25μm，纖芯幾何中心處對總外包層的相對折射率差Δ為0.20％～1.50％，特征參數m為1.5～2.5，r為到所述纖芯任一點距幾何中心處距離，n₀為所述纖芯幾何中心處折射率。

7.按權利要求1或2所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于所述的內包層相對于總外包層的相對折射率差為-0.5％～0.05％，內包層的單邊厚度為1～10μm，所述的總外包層為純二氧化硅玻璃層。

8.按權利要求7所述的陣列型保偏多芯光纖，其特征在于在纖芯和內包層之間設置有過渡內包層，過渡內包層的直徑與纖芯直徑的比值為1.0～3.0，過渡內包層為純二氧化硅玻璃層。