[發明專利]顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201910538515.X | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110299386B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | 田苗苗;馬志麗;張九占;韓珍珍 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
本發明涉及顯示面板技術領域,公開了一種顯示面板以及顯示裝置。該顯示面板包括下襯層、第一金屬走線、第二金屬走線和第三金屬走線。第一金屬走線位于下襯層上。第二金屬走線位于下襯層上。第三金屬走線位于第一金屬走線和第二金屬走線的上方且第三金屬走線與第一金屬走線和第二金屬走線互不接觸,第三金屬走線連接至固定電位。其中,第一金屬走線和第二金屬走線在下襯層上的正投影分別與第三金屬走線在下襯層上的正投影至少部分交疊,以使第一金屬走線和第二金屬走線分別與第三金屬走線形成耦合電容。通過上述方式,本發明能夠減小第一金屬走線和第二金屬走線之間的寄生電容所引起串擾的影響。
技術領域
本發明涉及顯示面板技術領域,特別是涉及一種顯示面板以及顯示裝置。
背景技術
目前,有源矩陣型有機發光二極管(Active Matrix Organic Light EmittingDisplay,AMOLED)顯示器具有廣闊的市場應用。OLED面板中的像素是由驅動薄膜晶體管(Driving Thin Film Transistor,DTFT)在飽和狀態下所產生的電流進行驅動發光的。由于在OLED面板中信號線與驅動TFT柵極之間會存在寄生電容,信號線上的電壓變化會影響到驅動TFT柵極的電位,引發串擾的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明主要解決的技術問題是提供一種顯示面板以及顯示裝置,能夠減小第一金屬走線和第二金屬走線之間的寄生電容所引起串擾的影響。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種顯示面板,該顯示面板包括下襯層、第一金屬走線、第二金屬走線和第三金屬走線。第一金屬走線位于下襯層上。第二金屬走線位于下襯層上。第三金屬走線位于第一金屬走線和第二金屬走線的上方且第三金屬走線與第一金屬走線和第二金屬走線互不接觸,第三金屬走線連接至固定電位。其中,第一金屬走線和第二金屬走線在下襯層上的正投影分別與第三金屬走線在下襯層上的正投影至少部分交疊,以使第一金屬走線和第二金屬走線分別與第三金屬走線形成耦合電容。
在本發明的一實施例中,第一金屬走線和第二金屬走線在下襯層上的正投影位于第三金屬走線在下襯層上的正投影所限定的區域中。
在本發明的一實施例中,顯示面板還包括陣列排布的多個像素,多個像素包括相鄰的第一像素和第二像素,第一像素對應的第一金屬走線和第二像素對應的第二金屬走線在下襯層上的正投影分別與同一第三金屬走線在下襯層上的正投影至少部分交疊。
在本發明的一實施例中,第一金屬走線為驅動晶體管的柵極。
在本發明的一實施例中,第一金屬走線和第二金屬走線同層設置,且第一金屬走線連接至驅動晶體管的柵極,第一金屬走線和第二金屬走線二者同層設置的部分在下襯層上的正投影分別與第三金屬走線在下襯層上的正投影至少部分交疊。
在本發明的一實施例中,第二金屬走線為數據信號線。
在本發明的一實施例中,第三金屬走線連接至電源信號線或基準電壓信號線。
在本發明的一實施例中,顯示面板還包括平坦化層,平坦化層接觸并覆蓋第三金屬走線。
在本發明的一實施例中,顯示面板還包括第一金屬極板和位于第一金屬極板上方的第二金屬極板,第一金屬極板和第二金屬極板之間形成有第一存儲電容;顯示面板還包括與第三金屬走線同層設置的第三金屬極板,第三金屬極板位于第二金屬極板的上方且二者互不接觸,第三金屬極板和第二金屬極板在下襯層上的正投影至少部分交疊,以使第三金屬極板和第二金屬極板之間形成第二存儲電容;其中,第二存儲電容和第一存儲電容并聯。
為解決上述技術問題,本發明采用的又一個技術方案是:提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括驅動電路和如上述實施例所闡述的顯示面板,驅動電路耦接顯示面板,用于驅動顯示面板實現其顯示功能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





