[發(fā)明專利]一種不等高金屬光柵及其制作方法

有效

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• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110361801B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張凱平;劉宇;張培文;趙盛杰;路程;胡媛;劉明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B5/00
• 代理公司: 北京知迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種不等高金屬光柵的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上制作種子層；

在所述種子層上涂覆光刻膠，對涂覆在所述種子層的光刻膠進行光柵曝光和光柵顯影，形成第一光柵圖形，以使所述種子層暴露出來；

通過電鍍形成第一金屬柵線；

在所述第一光柵圖形上涂覆光刻膠，制作等間距排列的第二光柵圖形，所述第二光柵圖形的光柵常數(shù)大于所述第一光柵圖形的光柵常數(shù)；

再次進行電鍍，形成第二金屬柵線；

去除光刻膠，并刻蝕去除沒被遮掩的種子層。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述襯底為半導體襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在襯底上制作種子層具體包括：通過電子束蒸發(fā)技術(shù)，先在襯底上沉積1納米至5納米Ti金屬層，然后在所述鈦金屬層上沉積3納米至15納米Au金屬層。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過電鍍形成第一金屬柵線具體包括：所述電鍍的金屬為金，所述第一金屬柵線厚度為0.8微米至2微米。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光柵圖形的光柵常數(shù)為1微米至5微米，所述第二光柵圖形的光柵常數(shù)為2微米至10微米。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過電鍍形成第二金屬柵線具體包括：所述電鍍的金屬為金，所述第二金屬柵線厚度為2微米至5微米。

7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除光刻膠采用丙酮。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蝕去除所述種子層采用反應(yīng)離子刻蝕。

9.一種不等高金屬光柵，其特征在于，所述不等高金屬光柵采用如權(quán)利要求1～8任一項所述不等高金屬光柵的制作方法制作形成；

所述不等高金屬光柵包括：

襯底；

設(shè)置于所述襯底上的種子層；

設(shè)置于所述種子層上等間距分布的第一金屬柵線；

設(shè)置于所述種子層上等間距分布的第二金屬柵線，所述第二金屬柵線的光柵常數(shù)大于等于所述第一金屬柵線的光柵常數(shù)，所述第二金屬柵線的厚度大于所述第一金屬柵線的厚度。

10.如權(quán)利要求9所述的不等高金屬光柵，其特征在于，所述第一金屬柵線的光柵常數(shù)為1微米至5微米，所述第二金屬柵線的光柵常數(shù)為2微米至10微米。