[發(fā)明專利]SIW饋電介質(zhì)諧振器以及采用該諧振器的天線、濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910536600.2 | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110299595A | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐慧;仝昌武;陳建新;褚慧 | 申請(專利權(quán))人: | 南通大學(xué) |
| 主分類號: | H01P7/10 | 分類號: | H01P7/10;H01P1/163 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭偉剛;張蓉 |
| 地址: | 226019*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 諧振器 底部金屬層 滑行槽 濾波器 中心饋電端口 頂部金屬層 介質(zhì)諧振器 饋電介質(zhì) 饋電探針 平面對稱 短路 天線 工作頻率可調(diào) 對稱分布 介質(zhì)基板 平面垂直 平面兩側(cè) 平面平行 選擇端口 貫穿 饋電 連線 伸入 探針 平行 垂直 移動 應(yīng)用 | ||
1.一種SIW饋電介質(zhì)諧振器,其特征在于,包括SIW腔(100)以及位于所述SIW腔(100)上表面的介質(zhì)諧振器(1),所述SIW腔(100)的左右側(cè)以及介質(zhì)諧振器(1)的左右側(cè)同時關(guān)于第一平面對稱,所述SIW腔(100)的前后側(cè)以及介質(zhì)諧振器(1)的前后側(cè)還同時關(guān)于第二平面對稱,所述SIW腔(100)的主模為TE110模,所述SIW腔的高次模為TE210模;
所述SIW腔(100)包括自上而下層疊設(shè)置的頂部金屬層(2)、介質(zhì)基板(3)、底部金屬層(4),第一饋電探針(P1)與位于底部金屬層(4)中心的第一饋電端口連接,第一饋電探針(P1)貫穿SIW腔后伸入所述介質(zhì)諧振器(1)內(nèi),第二饋電探針(P2)與位于底部金屬層(4)非中心的第二饋電端口連接,第二饋電探針(P2)貫穿SIW腔后與頂部金屬層(2)連接,第二饋電探針(P2)與第一饋電探針(P1)之間的連線平行于第一平面且垂直于第二平面;
所述SIW腔(100)具有對稱分布于所述第一平面兩側(cè)的兩個滑行槽(101),所述滑行槽(101)的延伸方向與第一平面垂直且與第二平面平行,且所述滑行槽(101)的延伸方向與定義TE模式時的坐標(biāo)系的y軸平行,每一所述滑行槽(101)中具有一可于所述滑行槽(101)中移動的短路栓(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器,其特征在于,所述短路栓(5)為金屬制件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器,其特征在于,所述頂部金屬層(2)上開設(shè)有對稱分布于所述第二平面兩側(cè)的兩個耦合窗(21),所述耦合窗(21)自身關(guān)于第一平面對稱,所述兩個耦合窗(21)位于所述兩個滑行槽(101)之間,其中一個耦合窗(21)位于第一饋電探針(P1)和第二饋電探針(P2)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器,其特征在于,所述介質(zhì)諧振器(1)、頂部金屬層(2)、介質(zhì)基板(3)、底部金屬層(4)的平面投影輪廓均呈矩形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器,其特征在于,所述耦合窗(21)呈長方形,所述耦合窗(21)的長度方向平行于所述第一平面,所述耦合窗(21)的寬度方向平行于所述第二平面。
6.一種天線,其特征在于,采用如權(quán)利要求1-5任一項所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器。
7.一種濾波器,其特征在于,采用如權(quán)利要求1-5任一項所述的SIW饋電介質(zhì)諧振器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南通大學(xué),未經(jīng)南通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910536600.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





