[發明專利]鏡面OLED顯示裝置和鏡面OLED顯示裝置的制作方法

在審

• 申請號: 201910535872.0
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110350101A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 譚偉;涂愛國
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種鏡面OLED顯示裝置，包括：

一TFT基板，所述TFT基板包括多個像素發光點；

一陽極，設置于所述TFT基板上；

一有機膜層，設置于所述陽極上；

至少一個透明陰極，設置于所述有機膜層上對應所述像素發光點的區域；

至少一個反射陰極，設置于所述有機膜層上對應所述像素發光點的區域以外的區域；

一封裝層，設置于所述透明陰極和所述反射陰極之上。

2.根據權利要求1所述之鏡面OLED顯示裝置，其中，所述反射陰極與所述透明陰極交替設置，且反射陰極的邊緣和所述透明陰極之邊緣相接。

3.根據權利要求1所述之鏡面OLED顯示裝置，其中，所述透明陰極的材料為鎂、銀之至少一種。

4.根據權利要求1所述之鏡面OLED顯示裝置，其中，所述反射陰極的材料為鋁、銀之至少一種。

5.根據權利要求1所述之鏡面OLED顯示裝置，其中，所述有機膜層還包括：

一空穴注入層，設置于所述陽極之上；

一空穴傳輸層，設置于所述空穴注入層之上；

一發光層，設置于所述空穴傳輸層之上對應所述像素發光點的區域；

一電子傳輸層，設置于所述發光層之上；

一電子注入層，設置于所述電子傳輸層之上。

6.一種鏡面OLED顯示裝置的制作方法，其步驟包括：

S1、在一TFT基板形成多個像素發光點；

S2、在所述TFT基板上依序制作陽極和有機膜層；

S3、在所述有機膜層上對應所述像素發光點的區域制作透明陰極；

S4、在所述有機膜層上對應所述像素發光點的區域以外的區域制作反射陰極；

S5、封裝所述TFT基板。

7.根據權利要求6所述之鏡面OLED顯示裝置制作方法，其中，所述反射陰極與所述透明陰極交替設置，且所述反射陰極的邊緣與所述透明陰極之邊緣相接。

8.根據權利要求6所述之鏡面OLED顯示裝置制作方法，其中，所述透明陰極的材料為鎂、銀之至少一種；

其中，所述反射陰極的材料為鋁、銀之至少一種。

9.根據權利要求6所述之鏡面OLED顯示裝置制作方法，其中，所述透明陰極與所述反射陰極的制作方式為精細金屬屏蔽制程。

10.根據權利要求6所述之鏡面OLED顯示裝置制作方法，其中，所述步驟S2中所述制作有機膜層的方式還包括：

S21、蒸鍍一空穴注入層于所述陽極之上；

S22、蒸鍍一空穴傳輸層于所述空穴注入層之上；

S23、蒸鍍一發光層于所述空穴傳輸層之上對應所述像素發光點的區域；

S24、蒸鍍一電子傳輸層于所述發光層之上；

S25、蒸鍍一電子注入層于所述電子傳輸層之上。