[發明專利]一種鹽堿地日光溫室彩椒栽培的基質和栽培方法

在審

• 申請號: 201910535696.0
• 申請日: 2019-06-13
• 公開（公告）號: CN110150090A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 梁增文;梁秀芹;袁輝;梁斌;張錫玉;楊朝霞;劉天英
• 申請（專利權）人: 山東永盛農業發展有限公司;山東華蔬農業科技有限公司;永盛（壽光）蔬菜技術研究院有限公司
• 主分類號: A01G24/10
• 分類號: A01G24/10;A01G24/17;A01G24/25;A01G24/12;A01G31/00;A01G7/06;A01N43/40;A01N37/46;A01P21/00
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本發明提供了一種鹽堿地日光溫室彩椒栽培的基質和栽培方法，屬于鹽堿地蔬菜栽培技術領域。本發明所述基質包括填充基質和栽培基質，該基質持水和保肥能力強，透氣性好，蓄熱性好，與土壤的熱交換能力強。本發明的栽培方法包括以下主要步驟：在日光溫室中設置栽培槽，在栽培槽中依次鋪設隔離膜、填充基質、防蟲網和栽培基質；栽培槽的基質中施用EM菌劑和氨基酸液肥；種植彩椒，定植后施用誘抗劑；收獲彩椒，拉秧后施用辣根素，進行悶棚。本發明的栽培方法能夠減緩基質鹽澤化、控制土傳病害的發生，減少化學農藥的使用，提高彩椒產量。

技術領域

本發明涉及鹽堿地蔬菜栽培技術領域，尤其涉及一種鹽堿地日光溫室彩椒栽培的基質和栽培方法。

背景技術

鹽堿地是鹽類集積的一個土壤種類，是指土壤里面所含的鹽分影響到作物的正常生長。由于受土壤條件等限制因素的影響，鹽堿地用于種植蔬菜時，往往表現出根系生長受抑制，根尖變褐，嚴重時整個根系發黑腐爛等不良現象；鹽堿化程度嚴重時，還會導致植株莖葉枯死，葉片萎縮，生長停滯，影響植株生長和產量。當前我國設施蔬菜對鹽堿土的利用率小，而且同一設施內鹽堿土壤狀況差異大，加上農戶生產措施不一，造成蔬菜產品品質、產量低下，而鹽堿地農業高效利用對我國設施蔬菜的提升具有重大意義。

砂培是利用砂石為基質進行的一種無土栽培方式。砂培栽培技術簡單易學，投入成本低，效益較好，是值得在鹽堿地推廣的一種栽培模式。但現有鹽堿地砂培栽培模式具有許多難以克服的弊端：

(1)基質消毒繁瑣麻煩，每年6～7月份必須將栽培基質從栽培槽中挖出，消毒后再重新回填至栽培槽，費時費工。

(2)水和肥料的用量較多，吸收利用率也不高，易于產生鹽類積累，基質易再次鹽澤化，連續種植3～4年后需要更換新的栽培基質。

(3)砂培基質透氣性差，加之緩沖能力、持水力和保肥能力差，根系發育不良，植株長勢弱，產量遠低于同等管理水平下的土壤栽培。

(4)砂培基質中幾乎沒有有機質，微生物極少，一旦感染土傳病原物，極容易導致土傳病害爆發。

為了增加基質透氣性和防止基質積水，現有技術通常在基質下方排放一層廢棄的塑料育苗穴盤或滲水槽或石子，該技術在一定程度上增加了基質透氣性，減少了基質積水，但同時也阻隔了基質與土壤的熱交換，影響了作物根際溫度的穩定性，會對作物生長產生不利影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種鹽堿地日光溫室彩椒栽培的基質和栽培方法，本發明的基質持水和保肥能力強，透氣性好，蓄熱性好，與土壤的熱交換能力強；本發明的栽培方法能夠減緩基質鹽澤化、控制土傳病害的發生，減少化學農藥的使用，提高彩椒產量。

為了實現上述發明目的，本發明提供以下技術方案：

本發明提供了一種鹽堿地日光溫室彩椒栽培的基質，所述基質包括填充基質和栽培基質；

所述填充基質包括以下原料：碳化稻殼和第一爐渣；所述碳化稻殼和第一爐渣的體積比為0.5～0.9∶1；

所述栽培基質包括以下原料：砂子、碳化稻殼、椰糠和第二爐渣；所述砂子、碳化稻殼、椰糠和第二爐渣的體積比為4～8∶0.5～1∶0.5～1∶2～7；

所述第一爐渣的粒徑為1～1.2cm；所述第二爐渣的粒徑為0.5～0.8cm。

優選的，所述砂子的粒徑為0.8～2mm。

優選的，所述椰糠的粒徑為3～5mm。

優選的，所述碳化稻殼的粒徑為2～4mm。

本發明還提供了一種利用上述方案所述基質進行鹽堿地日光溫室彩椒栽培的方法，一年一大茬栽培模式，連續多茬次種植，包括以下步驟：