[發明專利]保護HAMR頭中的寫入極免受腐蝕的方法

有效

• 申請號: 201910535117.2
• 申請日: 2019-06-20
• 公開（公告）號: CN110956982B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: M·瑪尼比斯韋;M·A·菲諾特;B·C·斯蒂普
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;G11B5/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 孫尚白

1.一種用于寫入熱輔助磁記錄介質即HAMR介質的HAMR頭，包括：

近場換能器即NFT，所述近場換能器包括靠近空氣軸承表面即ABS的端部并被構造成將來自激光器的光導向到所述HAMR介質上的區域；和

寫入極，所述寫入極被構造成寫入所述HAMR介質上的所述區域并包括靠近所述ABS的底表面、靠近所述NFT的第一側面，和與所述第一側面相對的第二側面；

其中所述寫入極包括凹部，所述凹部從所述底表面的一部分沿著所述第一側面的一部分延伸；

其中所述底表面的所述部分包括小于所述底表面的長度，并且所述第一側面的所述部分包括小于所述第一側面的長度。

2.根據權利要求1所述的HAMR頭，還包括：

極基座，所述極基座位于所述凹部內。

3.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座的材料選自貴金屬，或者Rh、Ru、Ir、Ni、V、Au、Pt、Ti、Cr或Ta的合金。

4.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座的材料選自由Ta₂O₃、Y₂O₃、Cr₂O₃、ZrO₂、HfO₂、TiO₂、SiO₂、鐵氧體、Ba-鐵氧體、Zn-鐵氧體或Sr-鐵氧體構成的組。

5.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座的材料選自由Si、Ta、Zr、Ti、Hf或Y構成的組。

6.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座包括磁性材料，所述磁性材料包括比所述寫入極低的磁矩或者比所述寫入極高的鎳原子百分比。

7.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座的橫截面包括矩形形狀。

8.根據權利要求7所述的HAMR頭，其中所述矩形形狀包括沿著所述底表面延伸的長度和沿著所述第一側面延伸的寬度，其中所述長度大于所述寬度。

9.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中：

所述極基座包括第一段和第二段，所述第一段沿著所述寫入極的所述底表面延伸，所述第二段從所述底表面沿著所述寫入極的所述第一側面延伸；并且

所述第一段和所述第二段形成L形塊。

10.根據權利要求2所述的HAMR頭，其中所述極基座包括倒角形狀，以使得所述NFT和所述寫入極之間的相對距離從所述ABS沿著所述第一側面減小。

11.根據權利要求1所述的HAMR頭，其中所述凹部被引入在所述寫入極的所述底表面上。

12.根據權利要求11所述的HAMR頭，其中所述凹部包括倒角形狀，以使得所述NFT和所述寫入極之間的相對距離從所述ABS沿著所述第一側面減小。

13.根據權利要求12所述的HAMR頭，還包括：

保護性層，所述保護性層在所述寫入極的倒角邊緣上與所述凹部相鄰，其中所述保護性層還沿著所述底表面的至少附加部分延伸，其中所述保護性層的材料選自貴金屬，或者Rh、Ru、IR、Au或Pt的合金。

14.根據權利要求11所述的HAMR頭，其中所述凹部包括圓柱形狀。

15.根據權利要求1所述的HAMR頭，還包括：

散熱器，所述散熱器熱耦合到所述凹部。

16.根據權利要求1所述的HAMR頭，其中所述側面的所述部分包括小于或等于10nm的長度。