[發明專利]圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備

在審

• 申請號: 201910533201.0
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN110297016A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 岳明鑫;高蘭;楊曉冬;周官群;吳小平
• 申請（專利權）人: 安徽國科驕輝科技有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;G01N27/20
• 代理公司: 深圳眾邦專利代理有限公司 44545
• 代理人: 王紅

本發明提供一種圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備。所述圓柱體模型的視電阻率的計算方法，包括標準系數的確定、根據S1中所述的標準系數確定裝置系數K和測量野外實物的半徑、電位差和電流強度，根據裝置系數K計算視電阻率ρ_s三個步驟。本發明提供的圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備具有設計合理、測量方便、測量精度高的優點。

技術領域

本發明涉及視電阻率技術領域，尤其涉及一種圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備。

背景技術

直流電法是目前樹干無損探測的主要方法之一，當使用直流電法對樹干進行電阻率成像時，需要對所測得的電位值進行演繹以得到樹干橫截面上的視電阻率值信息，從而間接推斷樹干的完整情況。目前，國內關于樹干模型的電阻率演繹計算還處于初級階段，相關的方法研究非常少，國外對于樹干模型的電阻率演繹計算也處于消息封鎖期，相關商業軟件的應用效果也不是特別理想，數據解釋結果常常與實際情況嚴重不符。視電阻率是樹干內不同電性體相互影響的綜合反映，是一項重要的解譯參數，在平地條件下，通常利用裝置系數將所測得的電阻值轉換成視電阻率值，然而當探測目標體為圓柱體模型時，若仍使用原來的算法計算裝置系數，會使得計算得到的視電阻率誤差較大，從而影響最終的數據解釋結果。

因此，有必要提供一種新的圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備解決上述技術問題。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種設計合理、測量方便、測量精度高的圓柱體模型的視電阻率的計算方法及成像設備。

為解決上述技術問題，本發明提供的圓柱體模型的視電阻率的計算方法，包括以下步驟：

S1：標準系數的確定：

根據均勻無限長圓柱體上供電點所在橫截面上的電位值U(θ)的大小為：

其中，I代表電流強度，單位為安培,ρ代表電阻率值，單位為歐姆·米，R代表半徑，單位為米，是一系列通過數值模擬計算得到的標準系數，在數值模擬的過程中，反傅里葉變換是通過擬合的方法來實現的，該標準系數與A、B供電電極的夾角θ_AB以及測量點與電極A之間的夾角θ有關，一次計算后可存儲起來，下次利用時通過查表即可獲得；

S2：根據S1中所述的標準系數確定裝置系數K：

當S1中的供電電極的角度不變時，對于測量電極M和N分別有：

其中，U_M和U_N分別代表M點和N點的電位值，θ_M和θ_N分別代表M點和N點與A之間的夾角，將以上二式相減，得到MN之間的電位差為：

重寫上式得到：

那么裝置系數K就為：

S3：測量野外實物的半徑、電位差和電流強度，根據裝置系數K計算視電阻率ρ_s：

設野外實測的電位差和電流強度分別為U0和I0，實測半徑為R0，則其對應的視電阻率ρ_s的計算公式為：

從而就可精準的測算出野外實物的視電阻率ρ_s的具體值。

本申請還提供一種圓柱體模型的視電阻率的計算方法的成像設備，包括存儲器、處理器及存儲于所述存儲器的計算機程序，該程序被所述處理器執行時實現所述的圓柱體模型的視電阻率的計算方法的步驟。