[發明專利]一種陣列基板及其制作方法和顯示面板

有效

• 申請號: 201910531872.3
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN110197831B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 宋威;趙策;丁遠奎;王明;劉寧;胡迎賓;彭俊林;倪柳松
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本申請公開了一種陣列基板及其制作方法和顯示面板，用于降低顯示器件發生DGS的概率，提高陣列基板的良率。其中的陣列基板包括：襯底基板、覆蓋于所述襯底基板上的有源層、覆蓋于所述有源層上的柵極絕緣層、覆蓋于所述柵極絕緣層上的柵極，以及覆蓋于所述柵極上的源漏極金屬層；其中，所述陣列基板包括控制區和金屬走線區，沿所述有源層的溝道延伸方向，位于所述金屬走線區的所述柵極絕緣層的長度與所述柵極的長度的差值為第一長度差值，位于所述控制區的所述柵極絕緣層的長度與所述柵極的長度的差值為第二長度差值，所述第一長度差值小于所述第二長度差值。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)主要用于驅動液晶顯示器(LiquidCrystal Display，LCD)和有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器的子像素。采用TFT陣列制成的驅動背板是顯示屏能夠實現更高的像素密度、開口率和提升亮度的關鍵部件。

通常頂發射型結構的驅動背板溝道短，而TFT的特性易受短溝道效應的影響，為了降低短溝道效應的影響，在TFT控制區制備過程中要保證柵極絕緣層(Gate Insulator，GI)10的長度比柵極(Gate)20的長度要長，如圖1所示。其中，頂發射型的顯示器件的陣列基板可以分為金屬走線區(虛線框進行示意)和TFT控制區(實線框進行示意)。GI 10相比于Gate20多出來的部分稱為柵極絕緣層尾部(GI Tail)101。

由于GI Tail的原因在金屬走線區導致層間絕緣層(Inter Layer Dielectrics，ILD)30與Gate金屬20的交疊處出現褶皺，這種褶皺在源漏極(SD)40搭接之后，導致Gate金屬走線20與SD金屬走線40之間的ILD30由于覆蓋能力差導致厚度變薄，同時SD金屬40沉積后會形成類似尖端現象，如圖2所示，容易發生數據線柵線短路(Data Gate Short，DGS)不良。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制作方法和顯示面板，用于降低顯示器件發生DGS的概率，提高陣列基板的良率。

第一方面，本申請實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：

襯底基板、覆蓋于所述襯底基板上的有源層、覆蓋于所述有源層上的柵極絕緣層、覆蓋于所述柵極絕緣層上的柵極，以及覆蓋于所述柵極上的源漏極金屬層；

其中，所述陣列基板包括控制區和金屬走線區，沿所述有源層的溝道延伸方向，位于所述金屬走線區的所述柵極絕緣層的長度與所述柵極的長度的差值為第一長度差值，位于所述控制區的所述柵極絕緣層的長度與所述柵極的長度的差值為第二長度差值，所述第一長度差值小于所述第二長度差值。

在一種可能的實施方式中，所述第一長度差值小于或等于所述第二長度差值的20％。

在一種可能的實施方式中，位于所述控制區的所述柵極絕緣層在所述襯底基板的正投影完全覆蓋所述柵極在所述襯底基板的正投影。

在一種可能的實施方式中，位于所述控制區的所述層間絕緣層包括過孔，所述源漏極金屬層通過所述過孔與所述有源層連接；

位于所述金屬走線區的所述源漏極金屬層與所述柵極有交疊。

在一種可能的實施方式中，還包括位于所述柵極與所述源漏極金屬層之間的層間絕緣層，其中，位于所述金屬走線區的所述層間絕緣層與所述柵極有交疊。

第二方面，本申請實施例提供了一種陣列基板的制作方法，該方法包括：

在襯底基板上制備并圖案化有源層；

在所述有源層上依次沉積絕緣薄膜和金屬氧化物薄膜，分別作為柵極絕緣層和柵極層；