[發明專利]接觸式身份識別卡的封裝工藝及接觸式身份識別卡

在審

• 申請號: 201910531815.5
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN110429036A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 康孝恒;蔡克林;李瑞;許凱
• 申請（專利權）人: 惠州市志金電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/49;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 齊則琳;張雷

本發明公開了一種接觸式身份識別卡的封裝工藝及接觸式身份識別卡。其中，接觸式身份識別卡的封裝工藝包括如下步驟：提供導電基片，分別在導電基片的正、反面制備感光膜；曝光、顯影感光膜，制成線路圖形結構；在線路圖形結構的區域形成抗蝕層；去除感光膜；蝕刻導電基片上不具有抗蝕層的區域，在導電基片正面制成若干個承載面和若干個正面電極，在導電基片反面制成反面電極，制得封裝基板；在封裝基板上植入芯片并進行塑封處理，制得芯片封裝結構；裁剪芯片封裝結構制得接觸式身份識別卡。該制作工藝以導電基片作為基礎材料，降低了生產成本和產品厚度；另外，該制作工藝與傳統工藝相比較，省去鉆孔、沉電銅、阻焊印刷等步驟，制作工藝更簡單。

技術領域

本發明涉及接觸式身份識別卡封裝領域，尤其涉及一種接觸式身份識別卡的封裝工藝以及一種采用該封裝工藝制作的接觸式身份識別卡。

背景技術

隨著無線技術的發展，手機通訊卡、銀行卡、社保卡等接觸式身份識別卡(接觸式SIM卡)得以廣泛的應用。伴隨物聯網的廣闊市場，進一步加大了SIM卡的市場需要。現有技術中，SIM卡在封裝過程中，一般是采用雙面覆銅的絕緣材料作為基材，其在封裝過程中需要在基材上鉆孔、沉鍍銅等一系列繁瑣的工序，其封裝工藝復雜，生產效率低，成本高，另外產品厚度較厚，已越來越不能滿足人們的要求。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的之一公開一種接觸式身份識別卡的封裝工藝，用以解決現有的接觸式身份識別卡封裝工藝流程復雜、成本高和產品厚度較厚的問題。

本發明的目的之二公開一種接觸式身份識別卡，該接觸式身份識別卡采用上述封裝工藝制作。

本發明的目的之一采用如下技術方案實現：一種接觸式身份識別卡的封裝工藝，包括如下步驟：

提供導電基片，分別在所述導電基片的正、反面制備感光膜；

分別對所述導電基片正、反面的感光膜進行曝光、顯影處理，以分別在所述導電基片的正、反面制成線路圖形結構；

分別對所述導電基片正、反面的線路圖形結構進行抗蝕性處理，以分別在所述導電基片正、反面的線路圖形結構上形成抗蝕層；

分別去除所述導電基片正、反面的感光膜；

對所述導電基片正、反面上不具有抗蝕層的區域分別進行蝕刻，以在所述導電基片正面制成若干個用于承載芯片的承載面和若干個環繞所述承載面設置的正面電極，在所述導電基片反面制成反面電極，制得封裝基板；

在所述封裝基板上植入芯片并進行塑封處理，制得芯片封裝結構；

對所述芯片封裝結構進行裁剪，制得接觸式身份識別卡。

進一步地，所述感光膜的制備步驟包括：在所述導電基片的正、反面涂覆感光濕膜或者壓貼感光干膜，在所述導電基片的正、反面以制成所述導電基片正、反面的感光膜。

進一步地，所述線路圖形結構的制備步驟包括：分別對所述導電基片正、反面的所述感光膜掩模后進行曝光、顯影，以在所述導電基片正面的感光膜上形成導通所述導電基片的正面導通焊盤，在所述導電基片反面的感光膜上形成導通所述導電基片的反面導通焊盤，所述正面導通焊盤形成所述導電基片正面的線路圖形結構，所述反面導通焊盤形成反面的線路圖形結構。

進一步地，所述抗蝕層的制作步驟包括：先分別在所述正面導通焊盤和所述反面導通焊盤內電鍍鎳層，再分別在所述正面導通焊盤和所述反面導通焊盤內的所述鎳層上電鍍金層，所述金層和所述鎳層層疊構成所述抗蝕層。

進一步地，所述鎳層的厚度為3-5um；且/或，所述金層的厚度為0.075-0.1um。