[發明專利]鰭式場效應晶體管器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201910531792.8
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN111261518B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 洪敏修;張阡;趙翊翔;黃鴻儀;張志維
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/768;C23C16/50;C23C16/42;C23C16/04
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在柵極結構的相對側上形成源極/漏極區域，其中，所述柵極結構位于鰭之上并且被第一電介質層圍繞；

在所述第一電介質層中形成開口以暴露所述源極/漏極區域；

通過執行等離子體增強化學氣相沉積PECVD工藝選擇性地在所述源極/漏極區域上的所述開口中形成硅化物區域，其中，所述PECVD工藝使用用于生成等離子體的RF源，其中，執行所述PECVD工藝包括調整所述PECVD工藝中所述等離子體的平均能量以高于用于在所述源極/漏極區域上形成所述硅化物區域的第一活化能，并且低于用于在所述第一電介質層上形成所述硅化物區域的第二活化能，其中，所述PECVD工藝在所述源極/漏極區域上的所述開口的底部處形成所述硅化物區域，但未沿著所述開口的側壁形成材料；以及

用導電材料填充所述開口。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在填充所述開口之前，在所述開口中形成阻擋層，其中，所述阻擋層內襯所述第一電介質層的由所述開口暴露的側壁并且內襯所述硅化物區域的頂表面。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述RF源在所述PECVD工藝期間被交替地打開和關閉。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述PECVD工藝的每個周期中，所述RF源在第一持續時間內打開并且在第二持續時間內關閉，其中，所述方法還包括通過調節所述第一持續時間和所述第二持續時間來調節所述等離子體的平均能量。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述硅化物區域包含硅化鈦，并且使用包含氫和四氯化鈦的氣體源來執行所述PECVD工藝。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，氫的流速與四氯化鈦的流速之比小于2。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述RF源的功率在100W和500W之間。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述RF源的頻率在1KHz和10KHz之間，并且所述PECVD工藝的壓力在1托和10托之間。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：在填充所述開口之前，在所述硅化物區域之上形成自對準阻擋層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述自對準阻擋層包括向所述硅化物區域的表面供應包含氮的氣體或供應包含氮的等離子體。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述自對準阻擋層包括向所述硅化物區域的表面供應包含氧的氣體或供應包含氧的等離子體。

12.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

確定用于在半導體結構的第一材料上形成第三材料的第一活化能；

確定用于在所述半導體結構的第二材料上形成所述第三材料的第二活化能，所述第二活化能高于所述第一活化能；以及

通過執行等離子體增強化學氣相沉積PECVD工藝選擇性在所述第一材料上沉積所述第三材料，其中，所述PECVD工藝的等離子體的平均能量高于所述第一活化能且小于所述第二活化能，其中，所述PECVD工藝在所述第一材料上形成所述第三材料，但未在所述第二材料上形成所述第三材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，在選擇性地沉積所述第三材料之后，所述第一材料被所述第三材料覆蓋，并且所述第二材料被所述第三材料暴露。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述PECVD工藝的所述等離子體是使用RF源生成的，其中，所述RF源在所述PECVD工藝期間被交替地打開和關閉。