[發明專利]電路單元特征化方法、數據存儲、訪問方法和處理系統

在審

• 申請號: 201910526132.0
• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN110245432A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 吳玉平;陳嵐;張學連
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 溫可睿

本申請提供一種電路單元特征化方法、數據存儲、訪問方法和處理系統，電路單元長期可靠性特征化方法，包括計算電路單元中每個器件對應的閾值電壓變化范圍，通過選取閾值電壓變化范圍中的多個閾值電壓值，然后將多個器件對應的不同閾值電壓值進行組合，然后針對每一個組合進行電路單元特征化，得到對應的特征化數據。也即得到的特征化數據包含了閾值電壓變化的因素，因此使得，特征化數據更加接近電路單元的真實情況，能夠得到不同老化程度下的電路單元特征化數據，使得電路單元特征化數據更加準確。

技術領域

本發明涉及電路仿真技術領域，尤其涉及一種電路單元特征化方法、數據存儲、訪問方法和處理系統，更確切的說，是涉及一種電路單元長期可靠性特征化方法、特征化數據緊湊存儲方法、特征化數據快速訪問方法和特征化數據處理系統。

背景技術

在電路單元的物理版圖設計完成后，需要通過電路仿真過程來驗證設計的合理性；通過電路單元的仿真，得到電路單元的特征化數據。在此電路單元仿真過程中，需要采用電路單元進行仿真的特征化工具，根據物理版圖數據，提取寄生效應，從而進行電路單元的仿真和電路特性參數的提取，進而得到電路單元的特征化數據，這一獲取電路單元特征化數據的過程簡稱為電路單元的特征化過程。

所謂電路單元，是指具有一定電路功能或邏輯功能的電路，在數字標準單元庫中一般指基本邏輯門電路、寄存器、鎖存器、觸發器等，在模擬電路設計中一般指運算放大器、比較器等。所謂特征化數據，是對電路性能進行分析所需數據的統稱，特征化數據包括電路的延時特性、功耗、良率、PVT波動的統計數據以及最好-最壞工藝角分析數據等。

電路單元特征化數據是數字電路單元長期可靠性時序分析和邏輯仿真的基礎，但是現有技術中的電路單元特征化數據應用在電路單元長期可靠性的時序分析中時，存在準確度降低的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種電路單元特征化方法、數據存儲、訪問方法和處理系統，以解決現有技術中電路單元特征化數據應用在電路單元長期可靠性時序分析中時，存在準確度降低的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種電路單元長期可靠性特征化方法，包括：

計算電路單元中所包含的每個器件對應的閾值電壓變化范圍，所述閾值電壓變化范圍為非老化狀態下或初始老化狀態下對應的閾值電壓到預設老化狀態對應的閾值電壓之間的范圍；

根據多個器件對應的閾值電壓變化范圍，確定多個器件在不同閾值電壓取值下形成的閾值電壓組合；

對每一個所述閾值電壓組合下的電路單元進行特征化，獲取電路單元特征化數據。

優選地，還包括在不同溫度下，對每一個所述閾值電壓組合下的電路單元進行特征化，以獲得不同溫度下的電路特征化數據。

優選地，還包括：

計算所述電路單元中多個器件因老化而導致的載流子遷移率變化范圍，以及器件閾值電壓與載流子遷移率的對應關系；

在對電路進行特征化的電路仿真中，根據器件的閾值電壓以及閾值電壓與載流子遷移率之間的對應關系，確定器件的載流子遷移率。

本發明還提供一種電路單元長期可靠性特征化數據緊湊存儲方法，用于存儲上面任意一項所述的電路單元長期可靠性特征化方法得到的特征化數據；

所述特征化數據緊湊存儲方法包括：

以所述特征化數據為基礎，建立電路單元長期可靠性特征化宏模型；

存儲所述宏模型。

優選地，所述宏模型為確定電路單元中多個器件閾值電壓為參數的宏模型。

優選地，所述宏模型為確定電路單元所處溫度為參數的宏模型。