[發(fā)明專利]一種用于弱光探測(cè)的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電晶體管及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910525986.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110364625A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周航;于浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京卓嵐智財(cái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 任漱晨 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷傳輸 鈣鈦礦 金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜 襯底 柵介電層 界面層 源漏金屬電極 光電晶體管 量子點(diǎn)材料 量子點(diǎn) 柵電極 弱光 投影 探測(cè) 界面層薄膜 全包圍柵 電極 上表面 制備 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于弱光探測(cè)的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電晶體管,其特征在于,包括:上表面水平的基礎(chǔ)襯底;柵電極位于基礎(chǔ)襯底上;柵介電層和基礎(chǔ)襯底全包圍柵電極,且投影面積等于基礎(chǔ)襯底;金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜位于柵介電層上;源漏金屬電極位于柵介電層和金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜上;電荷傳輸界面層位于源漏金屬電極中間;鈣鈦礦量子點(diǎn)材料層位于電荷傳輸界面層正上方且完全覆蓋電荷傳輸界面層;金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜、電荷傳輸界面層薄膜、鈣鈦礦量子點(diǎn)材料層投影面積等于柵電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光探測(cè)器領(lǐng)域,尤其涉及一種用于弱光探測(cè)的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電晶體管及制備方法。
背景技術(shù)
金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管,尤其是銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜晶體管具有穩(wěn)定、高遷移率、透明、均一性佳等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于顯示面板陣列和探測(cè)器陣列中,但是IGZO材料光吸收率低,對(duì)弱光沒(méi)有很強(qiáng)的光響應(yīng)。鈣鈦礦量子點(diǎn)材料具有光吸收率高、光吸收范圍寬、載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)、載流子壽命長(zhǎng)、帶隙可調(diào)等特點(diǎn),鈣鈦礦量子點(diǎn)材料優(yōu)異的光吸收特性使得其在光電探測(cè)器領(lǐng)域也有很廣泛的應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)較好的低光強(qiáng)探測(cè),可以將鈣鈦礦量子點(diǎn)材料與金屬氧化物晶體管結(jié)合制備一種新型的光電晶體管探測(cè)器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于弱光探測(cè)的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電晶體管及其制備方法。鈣鈦礦量子點(diǎn)材料通過(guò)致密的電荷傳輸界面層與金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管相結(jié)合,提供了具有光譜響應(yīng)寬,暗電流低,對(duì)弱光有很強(qiáng)探測(cè)的光電晶體管,并且制備工藝簡(jiǎn)單,器件成功率高,在光探測(cè)器領(lǐng)域潛力極大。
為達(dá)上述目的,一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于弱光探測(cè)的鈣鈦礦量子點(diǎn)光電晶體管,其特征在于:包括:
上表面水平的基礎(chǔ)襯底1;
柵電極2位于基礎(chǔ)襯底1上;
柵介電層3和基礎(chǔ)襯底1全包圍柵電極2,且投影面積等于基礎(chǔ)襯底1;
金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜4位于柵介電層3上;
源漏金屬電極5位于柵介電層3和金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜4上;
電荷傳輸界面層6位于源漏金屬電極5中間;
鈣鈦礦量子點(diǎn)材料層7位于電荷傳輸界面層6正上方且完全覆蓋電荷傳輸界面層6;
金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜4、電荷傳輸界面層薄膜6、鈣鈦礦量子點(diǎn)材料層7投影面積等于柵電極2。
進(jìn)一步地,所述基礎(chǔ)襯底1為至少一種:硅襯底、玻璃襯底、石英襯底、聚酰亞胺PI襯底、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯PET襯底和聚萘二甲酸乙二醇酯PEN襯底;
進(jìn)一步地,所述柵電極2和源漏金屬電極5為鉬、金、銀、鋁、銅材料電極;
進(jìn)一步地,所述柵介電層3為氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氧化鋁Al2O3、氧化鉿HfO2材料;
進(jìn)一步地,所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜4的材料包括:銦鎵鋅氧化物IGZO、銦鋅錫氧化物IZTO、摻鋁氧化鋅AZO、鋅錫氧化物ZTO、鎂鋅氧化物MZO;
進(jìn)一步地,所述電荷傳輸界面層6的材料包括:富勒烯C60、富勒烯衍生物PCBM、富勒烯衍生物ICBA、富勒烯與聚甲基丙烯酸甲酯PMMA混合物;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





