[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置

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• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN110616416A
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發(fā)明（設計）人: 田端雅弘
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/513
• 代理公司: 11332 北京品源專利代理有限公司
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種基板處理裝置，包括：

處理裝置，其具有腔室；以及

控制器，其具有存儲器、以及與該存儲器連接的處理器，

其特征在于：

所述存儲器存儲用于對所述處理器進行控制而對基于所述處理裝置實施的處理進行控制的、可通過計算機執(zhí)行的命令，該處理包括：

第1處理，通過化學氣相沉積，在所述腔室內(nèi)的基板的第1區(qū)域內(nèi)形成第1膜；以及

第2處理，通過原子層沉積，在所述腔室內(nèi)的所述基板的第2區(qū)域內(nèi)形成第2膜，

所述基板處理裝置不將所述基板從所述腔室移動至其外部而實施所述第1處理及所述第2處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

天線，其由所述控制器控制；以及

下部電極，其與所述天線相對配置，構成為將所述基板保持于其上，該下部電極由所述控制器控制，

所述處理還包括：

在所述化學氣相沉積中，向所述下部電極施加電壓；以及

在所述原子層沉積的改性步驟中，向所述天線施加電壓。

3.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

天線，其配置于所述腔室之上，由所述控制器控制；以及

下部電極，其與所述天線相對配置，構成為將所述基板保持于其上，該下部電極由所述控制器控制，

所述處理還包括：

在所述化學氣相沉積中，不向所述天線施加電壓，向所述下部電極施加電壓；以及

在所述原子層沉積的改性步驟中，不向所述下部電極施加電壓，向所述天線施加電壓。

4.根據(jù)權利要求1～3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述第1處理中，在所述基板的親水性表面的第1區(qū)域上形成所述第1膜作為疏水性表面；

所述第2處理中，在所述基板的所述親水性表面的所述第2區(qū)域上，通過吸附與羥基發(fā)生反應的前驅(qū)體來形成所述第2膜。

5.根據(jù)權利要求1～4中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述第2處理中，從所述基板去除所述第1膜中的至少一部分。

6.根據(jù)權利要求1～5中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述第1處理中，通過氟碳等離子體沉積所述第1膜。

7.根據(jù)權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述第1處理中，通過對向所述下部電極施加的電壓進行控制，來實施各向異性化學氣相沉積及各向同性化學氣相沉積中的任一種。

8.根據(jù)權利要求1～7中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述第1處理中，在所述基板的凹凸的頂部及底部形成所述第1膜；所述第2處理中，在所述基板的凹凸的側壁形成所述第2膜。

9.根據(jù)權利要求1～8中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述基板含有SiO₂、SiN、Si及Ge中的至少一種，

所述第2處理中，形成含硅的膜作為所述第2膜。

10.根據(jù)權利要求1～9中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

按照所述第1處理及所述第2處理的順序來重復實施。

11.根據(jù)權利要求1～10中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于：

使用電感耦合等離子體或者電容耦合等離子體來實施所述第1處理及所述第2處理。