[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910525869.0
• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN110660802A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 盧昶佑;馬在亨;裴東一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/10
• 代理公司: 11286 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 尹淑梅;劉美華

提供了一種半導體器件，所述半導體器件可以包括：第一溝道，位于基底的第一區域上，并且在與基底的上表面基本垂直的豎直方向上彼此間隔開；第二溝道，位于基底的第二區域上，并且在豎直方向上彼此間隔開；第一柵極結構，位于基底的第一區域上，并且覆蓋第一溝道中的每個的表面的至少一部分；以及第二柵極結構，位于基底的第二區域上，并且覆蓋第二溝道中的每個的表面的至少一部分。第二溝道可以設置在與第一溝道中對應的第一溝道的高度基本相同的高度處，第二溝道中的最下面的第二溝道的高度可以比第一溝道中的最下面的第一溝道的高度高。

該專利申請要求于2018年6月29日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2018-0075616號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思的示例實施例涉及一種半導體器件及其制造方法，更具體地，涉及一種具有垂直堆疊的多個溝道的半導體器件及其制造方法。

背景技術

在以高速操作的高度集成的半導體器件中，可以找到多橋溝道場效應晶體管(MBCFET)。每個MBCFET可以包括垂直堆疊的多個溝道。當在半導體器件中包括多個MBCFET，其中每個MBCFET在每個堆疊中具有相同數量的溝道時，多個MBCFET可以具有相同的特性。因此，期望制造具有彼此不同特性的MBCFET的方法。

發明內容

本發明構思的示例實施例提供了一種具有增強特性的半導體器件及其制造方法。

根據本發明構思的示例實施例，一種半導體器件可以包括：基底，包括第一區域和與第一區域相鄰或與第一區域間隔開的第二區域；第一溝道，設置在基底的第一區域上，第一溝道在與基底的上表面基本垂直的豎直方向上彼此間隔開；第二溝道，設置在基底的第二區域上，第二溝道在豎直方向上彼此間隔開；第一柵極結構，設置在基底的第一區域上，并且覆蓋第一溝道中的每個的表面的至少一部分；以及第二柵極結構，設置在基底的第二區域上，并且覆蓋第二溝道中的每個的表面的至少一部分。第二溝道可以設置在與第一溝道中對應的第一溝道的高度基本相同的高度處，第二溝道中的最下面的第二溝道的高度比第一溝道中的最下面的第一溝道的高度高。

根據本發明構思的示例實施例，一種半導體器件可以包括：基底，包括第一區域和與第一區域相鄰或與第一區域間隔開的第二區域；第一晶體管，包括設置在基底的第一區域上的第一柵極結構以及在與基底的上表面基本垂直的豎直方向上彼此間隔開的第一溝道，第一溝道中的每個部分地延伸穿過第一柵極結構；以及第二晶體管，包括設置在基底的第二區域上的第二柵極結構以及在豎直方向上彼此間隔開的第二溝道，第二溝道中的每個部分地延伸穿過第二柵極結構。第一溝道的總數比第二溝道的總數大，第一溝道中的最上面的第一溝道和第二溝道中的最上面的第二溝道形成在基本相同的高度處。

根據本發明構思的示例實施例，一種半導體器件可以包括：基底，包括第一區域和與第一區域相鄰或與第一區域間隔開的第二區域；第一有源圖案，從基底的第一區域向上突出；第一隔離圖案，圍繞第一有源圖案的側壁；第一晶體管，包括設置在第一有源圖案和第一隔離圖案上的第一柵極結構以及在與基底的上表面基本垂直的豎直方向上彼此間隔開的第一溝道，第一溝道中的每個部分地延伸穿過第一柵極結構；第二有源圖案，從基底的第二區域向上突出；犧牲線和半導體線，順序地堆疊在第二有源圖案上；第二隔離圖案，圍繞第二有源圖案的側壁、犧牲線的側壁和半導體線的側壁；以及第二晶體管，包括設置在半導體線和第二隔離圖案上的第二柵極結構以及在豎直方向上彼此間隔開的第二溝道，第二溝道中的每個部分地延伸穿過第二柵極結構。