[發明專利]一種帶有微納復合絨面的聚光玻璃板及其制備工藝和應用在審
| 申請號: | 201910523113.2 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112103369A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 盧璋;邱宗財;祖基才;黃雙枝;葉青 | 申請(專利權)人: | 歐浦登(順昌)光學有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048;C03C15/00;C03C21/00 |
| 代理公司: | 福州市鼓樓區鼎興專利代理事務所(普通合伙) 35217 | 代理人: | 程捷;楊慧娟 |
| 地址: | 353216 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 復合 聚光 玻璃板 及其 制備 工藝 應用 | ||
1.一種帶有微納復合絨面的聚光玻璃板的制備工藝,其特征在于:其包括以下步驟:
S1: 將平均粒徑為 10~40微米的砂粒和水充分攪拌混合形成微米級水砂混合物,而后利用高壓水砂噴槍將所形成的微米級水砂混合物均勻地噴射至玻璃基板表面直至硅片表面形成微米級均勻的凹坑陣列群;
S2: 將經步驟S1噴砂后的玻璃放入蝕刻液內蝕刻,并于蝕刻后將玻璃清洗烘干;所述蝕刻液為可腐蝕玻璃的單酸或混酸蝕刻液,蝕刻液的濃度以及蝕刻時間以使硅片表面微米級均勻的凹坑陣列群透明化,形成均勻的微米級凹透鏡陣列群為準;
S3:將平均粒徑為1~2微米的砂粒和水充分攪拌混合形成納米級的水砂混合物,而后利用高壓水砂噴槍將納米級的水砂混合物均勻地噴射至步驟S2得到的具有微米級凹透鏡陣列群的玻璃基板表面,在該表面形成納米級均勻的凹坑陣列群;
S4: 將經步驟S2噴砂后的玻璃放入蝕刻液內蝕刻,并于蝕刻后將玻璃清洗烘干,得到帶有微納復合絨面的聚光玻璃基板;所述蝕刻液為可腐蝕玻璃的單酸或混酸蝕刻液,蝕刻液的濃度以及蝕刻時間以使納米級均勻的凹坑陣列群透明化,進而在均勻的微米級凹透鏡陣列群的表面形成納米級凹透鏡陣列群為準;
S5:對經步驟S4制得的聚光玻璃基板進行不損傷外觀的浸泡式化學強化處理,制得帶有微納復合絨面的聚光玻璃板。
2.一種帶有微納復合絨面的聚光玻璃板,其特征在于:其由權利要求1所述的聚光玻璃板的制備工藝制得。
3.一種太陽能電池組件,其包括前蓋板、電池片和背板,其特征在于:所述前蓋板為權利要求1所述的帶有微納復合絨面的聚光玻璃板。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池組件,其特征在于:所述電池片為薄膜太陽能電池片。
5.根據權利要求3所述的太陽能電池組件,其特征在于:所述電池片為晶體硅太陽能電池片。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池組件,其特征在于:所述晶硅體太陽能電池片的晶硅片的正面具有經噴砂及蝕刻工藝制得的微納濁透復合絨面層,所述微納濁透復合絨面層包括微米級絨面以及嵌套于微米級絨面上的納米級絨面層,其中納米級絨面層光滑,微米級絨面層未被納米級絨面層覆蓋的表面具有低反射濁度。
7.一種雙玻光伏組件的粘接工藝,其特征在于:所述雙玻光伏組件包括由固態紫外線柔性膠順次粘接的前蓋板、晶體硅太陽能電池片以及背板,所述前蓋板以及背板均為權利要求2所述的帶有微納復合絨面的聚光玻璃板;其粘接工藝包括:
1 )預貼合:使用滾筒貼膜機分別在前蓋板的背面以及背板的正面貼上固態紫外線柔性膠,而后將晶體硅太陽能電池片放置到該前蓋板的膠面上,然后將背板的正面貼附于晶體硅太陽能電池片的背面形成雙玻夾膠組件;
2 )脫泡:將貼附有固態紫外線柔性膠的雙玻夾膠組件放入蒸壓釜中脫泡50~70min,控制蒸壓釜內壓力4 kgf/c㎡~8 kgf/c㎡,使固態紫外線柔性膠呈現中間硬兩邊軟的半熔化狀態;
3 )固化:采用大功率的UV照射燈對雙玻夾膠組件進行強光照射,讓固態紫外線柔性膠固化從而與各元件貼合在一起,形成雙玻太陽能電池組件。
8.一種雙玻光伏組件,其特征在于:其由權利要求7所述的雙玻光伏組件的粘接工藝制得,所述晶硅體太陽能電池片的晶硅片的正面具有經噴砂及蝕刻工藝制得的微納濁透復合絨面層,所述微納濁透復合絨面層包括微米級絨面以及嵌套于微米級絨面上的納米級絨面層,其中納米級絨面層光滑,微米級絨面層未被納米級絨面層覆蓋的表面具有低反射濁度。
9.根據權利要求8所述的雙玻光伏組件,其特征在于:所述晶硅體太陽能電池片的晶硅片的正面和背面均具有經噴砂及蝕刻工藝制得的微納濁透復合絨面層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





