[發(fā)明專利]用于封裝雙MOS管且原位替換SOP8塑封器件的陶瓷外殼及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910521980.2
• 申請(qǐng)日: 2019-06-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110112105A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉貴慶;楊旭東;許為新;張振興;相裕兵;伊新兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所
• 主分類號(hào): H01L23/055
• 分類號(hào): H01L23/055;H01L21/48
• 代理公司: 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 37105
• 代理人: 楊先凱

1.用于封裝雙MOS管且原位替換SOP8塑封器件的陶瓷外殼，其特征在于，包括陶瓷基座，金屬環(huán)框，金屬蓋板，用作導(dǎo)電電路的下埋層金屬化層，用作導(dǎo)電電路的上埋層金屬化層，表面金屬化層，8個(gè)引腳，8個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱，8個(gè)外凹槽金屬化層；

所述陶瓷基座為頂敞口盒狀，所述陶瓷基座的內(nèi)盒底面上設(shè)置有用于放置MOS管芯片的凹坑；

所述下埋層金屬化層、上埋層金屬化層、表面金屬化層、8個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱、8個(gè)外凹槽金屬化層以及8個(gè)引腳均為在所述陶瓷基座的燒結(jié)成瓷過(guò)程中預(yù)埋燒結(jié)連接在所述陶瓷基座中；

所述下埋層金屬化層預(yù)埋于所述凹坑的下方且作為所述凹坑的坑底壁，所述下埋層金屬化層包括下導(dǎo)電圖形一與下導(dǎo)電圖形二，所述下導(dǎo)電圖形一與下導(dǎo)電圖形二相互間隔以電絕緣，所述下導(dǎo)電圖形一用于其上焊接放置一個(gè)MOS管芯片且與相應(yīng)的MOS管芯片的下表面上的電極點(diǎn)電連接，所述下導(dǎo)電圖形二用于其上焊接放置另一個(gè)MOS管芯片且與相應(yīng)的MOS管芯片的下表面上的電極點(diǎn)電連接；

所述上埋層金屬化層預(yù)埋于所述陶瓷基座的且除所述凹坑之外剩余的內(nèi)盒底面上，所述上埋層金屬化層包括上導(dǎo)電圖形一、上導(dǎo)電圖形二、上導(dǎo)電圖形三以及上導(dǎo)電圖形四，所述上導(dǎo)電圖形一、上導(dǎo)電圖形二、上導(dǎo)電圖形三以及上導(dǎo)電圖形四分別用于與相應(yīng)的MOS管芯片的上表面上的電極點(diǎn)電連接，所述上導(dǎo)電圖形一、上導(dǎo)電圖形二、上導(dǎo)電圖形三以及上導(dǎo)電圖形四相互間隔以電絕緣；

所述表面金屬化層預(yù)埋于所述陶瓷基座的敞口盒沿面上；

8個(gè)引腳均為陶瓷金屬化層，8個(gè)引腳均設(shè)置于所述陶瓷基座的外盒底面上以用于使得所述陶瓷基座上的8個(gè)引腳的布置樣式與SOP8塑封器件的8個(gè)引腳的布置樣式相同可以原位替換SOP8塑封器件，8個(gè)引腳相互間隔以電絕緣；

8個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱分別預(yù)埋在所述陶瓷基座中的8個(gè)通孔中，8個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱與8個(gè)通孔一一對(duì)應(yīng)，8個(gè)外凹槽金屬化層分別設(shè)置在所述陶瓷基座的外側(cè)壁面上的8個(gè)半圓橫截面凹槽中，8個(gè)外凹槽金屬化層與8個(gè)半圓橫截面凹槽一一對(duì)應(yīng)；

所述下導(dǎo)電圖形一與下導(dǎo)電圖形二均分別與2個(gè)引腳電連接；

所述上導(dǎo)電圖形一、上導(dǎo)電圖形二、上導(dǎo)電圖形三以及上導(dǎo)電圖形四均分別與剩余4個(gè)引腳一一對(duì)應(yīng)電連接；

與所述下導(dǎo)電圖形一電連接的2個(gè)引腳以及與下導(dǎo)電圖形二電連接的2個(gè)引腳位于所述陶瓷基座的外盒底面的A側(cè)邊處，與上導(dǎo)電圖形一、上導(dǎo)電圖形二、上導(dǎo)電圖形三以及上導(dǎo)電圖形四電連接的剩余4個(gè)引腳位于所述陶瓷基座的外盒底面的B側(cè)邊處，A側(cè)邊與B側(cè)邊是相互平行的兩條側(cè)邊；

與所述下導(dǎo)電圖形一電連接的2個(gè)引腳中的每一個(gè)引腳均通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述下導(dǎo)電圖形一的下表面電連接；

與所述下導(dǎo)電圖形二電連接的2個(gè)引腳中的每一個(gè)引腳均通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述下導(dǎo)電圖形二的下表面電連接；

與所述上導(dǎo)電圖形一電連接的1個(gè)引腳通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述上導(dǎo)電圖形一的下表面電連接；

與所述上導(dǎo)電圖形二電連接的1個(gè)引腳通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述上導(dǎo)電圖形二的下表面電連接；

與所述上導(dǎo)電圖形三電連接的1個(gè)引腳通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述上導(dǎo)電圖形三的下表面電連接；

與所述上導(dǎo)電圖形四電連接的1個(gè)引腳通過(guò)其所對(duì)應(yīng)的1個(gè)內(nèi)通孔金屬化柱以及1個(gè)外凹槽金屬化層與所述上導(dǎo)電圖形四的下表面電連接；

所述內(nèi)通孔金屬化柱的頂端與相應(yīng)的下埋層金屬化層或上埋層金屬化層的下表面為在所述陶瓷基座的燒結(jié)成瓷過(guò)程中燒結(jié)成的一體連接，外凹槽金屬化層的頂端與相應(yīng)的下埋層金屬化層或上埋層金屬化層的下表面為在所述陶瓷基座的燒結(jié)成瓷過(guò)程中燒結(jié)成的一體連接，所述內(nèi)通孔金屬化柱的底端與相應(yīng)的引腳的上表面為在所述陶瓷基座的燒結(jié)成瓷過(guò)程中燒結(jié)成的一體連接，所述外凹槽金屬化層的底端與相應(yīng)的引腳的上表面為在所述陶瓷基座的燒結(jié)成瓷過(guò)程中燒結(jié)成的一體連接；

所述表面金屬化層上設(shè)置有第一鍍鎳層，所述表面金屬化層上的第一鍍鎳層上釬焊連接設(shè)置有金屬環(huán)框，所述金屬蓋板用于封蓋所述金屬環(huán)框的敞口以構(gòu)成密封的陶瓷外殼；

所述金屬環(huán)框、下埋層金屬化層、上埋層金屬化層、8個(gè)引腳以及8個(gè)外凹槽金屬化層的全部外露金屬表面上設(shè)置有從內(nèi)到外依次布置的第一鍍鎳層、第二鍍鎳層、鍍金層。