[發明專利]一種濾波裝置、電源及其濾波方法在審
| 申請號: | 201910521585.4 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN110277907A | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 肖彪;萬今明;曾穎宇;黃強 | 申請(專利權)人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/44 | 分類號: | H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京煦潤律師事務所 11522 | 代理人: | 朱清娟;梁永芳 |
| 地址: | 519070*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濾波 共模扼流圈 濾波效果 濾波裝置 電源 電源EMI濾波器 電源出線 電源進線 濾波組件 一級濾波 上下層 布線 排布 走線 元器件 靈活 | ||
1.一種濾波裝置,其特征在于,包括:至少一級濾波組件;每級濾波組件的地平面,與每級濾波組件的濾波元器件設置于同一平面;
其中,每級濾波組件的濾波元器件,包括:X電容(2)、共模扼流圈和Y電容(3);所述X電容(2)、所述共模扼流圈和所述Y電容(3),按照電源進線到電源出線的方向依次排布。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,每級濾波組件的地平面、以及每級濾波組件的濾波元器件,均設置于基板的頂層;所述基板的底層,用于走相線、零線,在所述基板的底層設置有相線、零線的入口和出口。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,在所述基板的頂層上除所述濾波元器件之外的部分,至少第一設定面積經敷銅處理,形成第一敷銅部,作為地平面;
在所述基板的底層上,相線、零線走線處采用第二設定面積的加寬敷銅處理,形成第二敷銅部;在對電源線的相線、零線走線采用加寬敷銅處理中,相線、零線上經過濾波元器件時采用擠流法走線處理。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述第一敷銅部的第一敷銅厚度,大于或等于預設的衰減頻率在敷銅部中的趨膚深度;和/或,
所述第二敷銅部的第二敷銅厚度,大于或等于預設的衰減頻率在敷銅部中的趨膚深度。
5.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,在所述基板上,按照電源進線到電源出線的方向,還設置有PE進線接口(61)和PE出線接口(62);所述PE進線接口(61)、所述PE出線接口(62)、所述Y電容(3)的接線接口,包括過孔、以及連接至所述頂層的接口;
在所述基板上,所述X電容(2)的接線接口、所述共模扼流圈的接線接口,均為過孔。
6.根據權利要求1-5之一所述的裝置,其特征在于,所述共模扼流圈,包括:共模扼流圈磁芯(1)和共模扼流圈繞組(4);其中,
所述共模扼流圈磁芯(1),采用環形磁芯,所述環形磁芯臥裝在基板上;
所述共模扼流圈繞組(4),采用環形磁芯繞組;所述環形磁芯繞組,采用單層線圈時,按設定順序進行順序繞制在環形磁芯上;或者,所述環形磁芯繞組,采用兩層以上線圈時,分段繞制在所述環形磁芯上,段與段之間絕緣處理。
7.根據權利要求1-5之一所述的裝置,其特征在于,所述Y電容(3),采用陶瓷電容;所述陶瓷電容中陶瓷體的r-θ平面與共模扼流圈漏磁磁通方向平行。
8.根據權利要求1-5之一所述的裝置,其特征在于,當濾波組件的級數為兩級以上時,上一級濾波組件的火線、零線、地線的輸出,作為下一級濾波組件的火線、零線、地線的輸入。
9.一種電源,其特征在于,包括:如權利要求1-8任一所述的濾波裝置。
10.一種電源的濾波方法,其特征在于,包括:
將所述電源的濾波裝置的地平面,與所述濾波裝置中濾波元器件設置于同一平面;并對所述地平面進行敷銅處理。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,還包括:
在所述濾波裝置的基板的底層,進行電源線走線,并對走線進行加寬敷銅處理;在對電源線的相線、零線走線采用加寬敷銅處理中,相線、零線上經過濾波元器件時采用擠流法走線處理;
其中,
將所述濾波裝置的地平面與所述濾波元器件設置于基板的頂層。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





