[發(fā)明專利]具有電磁屏蔽功能的金屬-絕緣層-金屬電容結(jié)構(gòu)及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910521121.3 | 申請日： | 2019-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN110729275A | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李惠宇;劉欽洲;葉政宏;張豐愿;黃博祥;鄭儀侃;曾嘉輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/552 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 龔詩靖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬化層 介電層 底部電容器電極 襯底 絕緣層 電容器電極 中介層 金屬 半導(dǎo)體 電磁屏蔽功能 半導(dǎo)體裝置 金屬電容 電浮動 電耦合 配置 制造 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體中介層裝置，其包括：
襯底；
第一金屬化層，其形成于所述襯底上；
第一介電層，其形成于所述第一金屬化層上；
第二金屬化層，其形成于所述第一金屬化層及所述襯底上；
第一導(dǎo)線，其形成于所述第一金屬化層中；
第二導(dǎo)線及第三導(dǎo)線，其形成于所述第二金屬化層中；及
金屬-絕緣層-金屬MIM電容器，其形成于所述第一介電層中及所述第一導(dǎo)線上，所述MIM電容器包括：
頂部電容器電極，其位于所述第一介電層中且電耦合到所述第二導(dǎo)線；
底部電容器電極，其位于所述第一介電層中及所述第一導(dǎo)線上方，其中所述底部電容器電極經(jīng)配置為電浮動的；及
第二介電層，其介于所述頂部電容器電極與所述底部電容器電極之間。
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