[發(fā)明專利]改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910520148.0
• 申請日: 2019-06-17
• 公開（公告）號(hào): CN110164786A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉博佳;王海寬;郭松輝;林宗賢
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供待刻蝕的晶圓，且所述待刻蝕的晶圓的上表面形成有氧化物層；

從所述氧化物層的上表面向下蝕刻，形成第一槽；

在所述第一槽內(nèi)形成犧牲層；

從所述第一槽內(nèi)填充的犧牲層的上表面向下蝕刻，形成鍵合金屬槽，所述鍵合金屬槽從所述犧牲層的上表面貫穿至所述氧化物層的下表面，且尺寸小于所述第一槽的尺寸，以保留預(yù)設(shè)尺寸的所述犧牲層；

在所述鍵合金屬槽內(nèi)形成鍵合金屬層；

去除殘留的所述犧牲層，在所述氧化物層的上表面形成熱膨脹余量槽，且所述熱膨脹余量槽與所述鍵合金屬槽相連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，所述鍵合金屬槽的兩側(cè)均保留有犧牲層，且所述鍵合金屬槽的兩側(cè)保留的所述犧牲層的尺寸相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，所述鍵合金屬層將所述鍵合金屬槽填滿，且在去除殘留的所述犧牲層之前，還包括以下步驟：

研磨所述氧化物層的上表面覆蓋的鍵合金屬層，直至所述鍵合金屬層和所述氧化物層的上表面齊平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，在所述鍵合金屬槽內(nèi)形成鍵合金屬層之前，還包括以下步驟：

在所述氧化物層的上表面和所述鍵合金屬槽的側(cè)壁形成阻擋層；

在所述阻擋層的上表面形成種子層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，所述熱膨脹余量槽的寬度為100至深度為50至

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，所述鍵合金屬層包括銅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕在所述氧化物層的上表面形成第一槽，且采用濕法刻蝕在所述氧化物層的上表面形成第一槽之前，包括以下步驟：

采用光刻技術(shù)在所述氧化物層的上表面形成一第一預(yù)設(shè)蝕刻區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，采用干法刻蝕形成所述鍵合金屬槽，且在采用干法刻蝕形成所述鍵合金屬槽之前，還包括以下步驟：

采用光刻技術(shù)在所述氮化物的上表面形成第二預(yù)設(shè)蝕刻區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善金屬鍵合后的熱膨脹的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除殘留的所述犧牲層。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

晶圓；

形成于所述晶圓上表面的氧化物層；

形成于所述氧化物層上表面的鍵合金屬槽，所述鍵合金屬槽從所述犧牲層的上表面貫穿至所述氧化物層的下表面；

填充于所述鍵合金屬槽內(nèi)的鍵合金屬層；

形成于所述氧化物層上表面的熱膨脹余量槽，且所述熱膨脹余量槽與所述鍵合金屬槽相連通。