[發明專利]一種晶硅電池、晶硅電池組件及太陽能系統

在審

• 申請號: 201910519969.2
• 申請日: 2019-06-17
• 公開（公告）號: CN110212041A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州聯諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 郝彩華

本發明公開了一種晶硅電池、晶硅電池組件及太陽能系統，晶硅電池包括分別設置于所述晶硅電池的正面和/或背面的導電薄膜層，所述導電薄膜層包括TCO層和至少一層的金屬薄膜層，所述金屬薄膜層設置在所述TCO層上。該晶硅電池通過在晶硅電池的正面和/或背面設置金屬薄膜層來部分替代現有技術中的導電氧化物薄膜層，降低了晶硅電池的成本，并可提升晶硅電池的導電性能。

技術領域

本發明涉及晶硅電池制造技術領域，具體涉及一種晶硅電池、晶硅電池組件及太陽能系統。

背景技術

晶硅電池如異質結電池為以n型單晶硅片（c-Si）為襯底，在經過清洗制絨的n 型單晶硅片（c-Si）正面依次沉積厚度為5~10nm 的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、p型非晶薄膜（p-a-Si:H），從而形成p-n異質結；在n 型單晶硅片（c-Si）背面依次沉積厚度為5~10nm的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、n型非晶硅薄膜（n-a-Si:H）形成背表面場；在摻雜a-Si:H薄膜的兩側再沉積透明導電氧化物薄膜（TCO）；最后通過絲網印刷技術在兩側的TCO層上形成金屬集電極。這種晶硅電池的透明導電氧化物薄膜（TCO）雖然有良好的透明性，但是其成本高且導電性弱。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術中的問題，提供一種改進的晶硅電池。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種晶硅電池，包括分別設置于所述晶硅電池的正面和/或背面的導電薄膜層，所述導電薄膜層包括TCO層和至少一層的金屬薄膜層，所述金屬薄膜層設置在所述TCO層上。

優選地，所述金屬薄膜層為通過Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一單一金屬材料制備的薄膜層。

優選地，所述金屬薄膜層為通過Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一單一金屬材料制備的薄膜層疊加形成。

優選地，所述金屬薄膜層的厚度為10～50nm。

優選地，所述金屬薄膜層的厚度為50～300nm。

優選地，所述晶硅電池還包括設置在所述金屬薄膜層上的柵電極。

優選地，所述晶硅電池還包括設置在所述金屬薄膜層上的保護層。

進一步地，所述保護層為透明導電氧化物層。

優選地，采用PVD方法制備所述金屬薄膜層。

進一步地，所述PVD方法至少包括磁控濺射法。

優選地，所述TCO層為ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中任意一種氧化物形成的薄膜層。

優選地，所述TCO層為ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中至少兩種氧化物形成的膜層重疊而成的薄膜層。

本發明還提供一種晶硅電池組件，包括如上述任一項所述的晶硅電池。

優選地，所述晶硅電池組件至少包括一個所述晶硅電池。

本發明還提供一種太陽能系統，包括如上述任一項所述的晶硅電池。

優選地，所述太陽能系統至少包括一個所述晶硅電池。

由于上述技術方案的運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：本發明的晶硅電池通過在晶硅電池的正面和/或背面設置金屬薄膜層來部分替代現有技術中的導電氧化物薄膜層，降低了晶硅電池的成本，并可提升晶硅電池的導電性能。

附圖說明

附圖1為本發明的晶硅電池的結構示意圖。

具體實施方式