[發(fā)明專利]斜坡信號發(fā)生器和包括該斜坡信號發(fā)生器的圖像傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910515821.1
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN111385496B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金真善;申旼錫
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H04N5/357
• 分類號: H04N5/357;H04N5/3745
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種斜坡信號發(fā)生器，所述斜坡信號發(fā)生器包括：

參考電壓發(fā)生器，所述參考電壓發(fā)生器被配置為生成參考電壓；

增益控制器，所述增益控制器被配置為控制所述參考電壓的增益；

斜坡信號控制器，所述斜坡信號控制器被配置為響應(yīng)于所述增益控制器的輸出信號而生成斜坡信號；以及

偏移控制器，所述偏移控制器聯(lián)接到所述增益控制器的輸出端子以形成電流鏡，并且被配置為響應(yīng)于控制信號而控制所述斜坡信號的偏移，

其中，所述偏移控制器包括：

多個(gè)偏移單元，所述多個(gè)偏移單元并聯(lián)聯(lián)接在電源電壓輸入端子與所述斜坡信號的輸出端子之間，并且響應(yīng)于所述控制信號而選擇性地導(dǎo)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述斜坡信號控制器包括：

斜坡單元，所述斜坡單元被配置為響應(yīng)于所述控制信號通過所述增益控制器的輸出電壓電平來生成所述斜坡信號；以及

電阻器，所述電阻器聯(lián)接在所述斜坡單元和接地電壓端子之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述斜坡單元被配置為通過響應(yīng)于所述控制信號調(diào)節(jié)要聯(lián)接的晶體管的數(shù)量來生成所述斜坡信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述斜坡單元包括：

多個(gè)晶體管，所述多個(gè)晶體管并聯(lián)聯(lián)接至電源電壓輸入端子，并且被配置為響應(yīng)于所述增益控制器的輸出信號而選擇性地導(dǎo)通；以及

多個(gè)開關(guān)元件，所述多個(gè)開關(guān)元件聯(lián)接在所述多個(gè)晶體管與所述斜坡信號的輸出端子之間，并且被配置為由所述控制信號選擇性地開關(guān)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述多個(gè)晶體管包括至少一個(gè)PMOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述多個(gè)晶體管被配置為具有相同的溝道尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述偏移控制器被配置為控制所述斜坡信號的直流電平。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述多個(gè)偏移單元依次導(dǎo)通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，所述多個(gè)偏移單元當(dāng)中的每一個(gè)偏移單元包括：

晶體管，所述晶體管聯(lián)接到所述電源電壓輸入端子，使得所述晶體管的柵極端子聯(lián)接到所述增益控制器的輸出端子；以及

開關(guān)元件，所述開關(guān)元件聯(lián)接在所述晶體管和所述斜坡信號的所述輸出端子之間，使得所述開關(guān)元件的開關(guān)操作由所述控制信號控制。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，分別被包含在所述多個(gè)偏移單元中的所述晶體管被配置為具有相同的溝道尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，分別被包含在所述多個(gè)偏移單元中的所述晶體管被構(gòu)造成比被包含在所述斜坡信號控制器中的晶體管具有更小的溝道尺寸。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜坡信號發(fā)生器，其中，分別被包含在所述多個(gè)偏移單元中的所述晶體管被構(gòu)造成具有與被包含在所述斜坡信號控制器中的晶體管的溝道尺寸的一半相對應(yīng)的溝道尺寸。