[發(fā)明專利]用于制造包括第一和第二微機電元件的系統(tǒng)的方法和系統(tǒng)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910514981.4
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN110606465A
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·克拉森
• 申請（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;G01C19/5769;G01P15/00
• 代理公司: 72002 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 侯鳴慧

1.一種用于制造包括第一微機電元件(10)和第二微機電元件(20)的系統(tǒng)(1)的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

-在第一步驟中，提供具有所述第一微機電元件(10)和所述第二微機電元件(20)的基底(2)以及罩元件(3)，其中，在基底(2)上在所述第一微機電元件(10)的周圍環(huán)境內(nèi)的第一區(qū)域(11)中和/或在所述罩元件(3)上在第一對應(yīng)區(qū)域(12)中布置吸氣劑材料(4)，

-在第二步驟中，在第一步驟之后，將罩元件(3)借助晶片鍵合技術(shù)這樣布置在基底(2)上，使得構(gòu)成封閉的第一腔室(13)，所述第一腔室包括第一微機電元件(10)以及第一區(qū)域(11)和/或第一對應(yīng)區(qū)域(12)，其中，還構(gòu)成封閉的第二腔室(23)，所述第二腔室包括第二微機電元件(20)，

-在第三步驟中，在第二步驟之后，在第二腔室(23)中產(chǎn)生開口(30)，

-在第四步驟中，在第三步驟之后，在第一周圍環(huán)境壓力、特別是第一氣體壓力下，將開口(30)封閉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一微機電元件(10)包括轉(zhuǎn)速傳感器，并且所述第二微機電元件(20)包括加速度傳感器。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述晶片鍵合技術(shù)包括金屬鍵合方法，優(yōu)選鋁-鍺鍵合方法。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在第二步驟期間構(gòu)造第一和第二腔室(13，23)時，存在第二周圍環(huán)境壓力、特別是第二氣體壓力。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一周圍環(huán)境壓力在50和1000毫巴之間，其中，所述第四步驟優(yōu)選在限定的氣體氣氛中進(jìn)行，所述氣體氣氛特別是具有氮氣和/或至少一種惰性氣體。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在第三步驟中借助溝槽方法或激光鉆孔方法構(gòu)造所述開口(30)。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在第三步驟中在所述基底(2)中或在所述罩元件(3)中產(chǎn)生所述開口(30)。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在第四步驟中借助激光封裝(32)或借助層沉積方法封閉所述開口(30)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，在第一步驟中，附加地在所述基底(2)上在所述第二微機電元件(20)的周圍環(huán)境內(nèi)的第二區(qū)域(21)中和/或在所述罩元件(3)上在第二對應(yīng)區(qū)域(22)中布置所述吸氣劑材料(4)和/或另一吸氣劑材料(5)，其中，在第二步驟中構(gòu)造的第二腔室(23)附加地包括所述第二區(qū)域(21)和/或所述第二對應(yīng)區(qū)域(22)。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述罩元件(3)包括CMOS晶片元件(8)。

11.一種系統(tǒng)(1)，包括具有第一微機電元件(10)和第二微機電元件(20)的基底(2)并且還包括罩元件(3)，其中，所述基底(2)和所述罩元件(3)布置成使得第一微機電元件(10)布置在封閉的第一腔室(13)中，其中，第一腔室(13)具有吸氣劑材料(4)，其中，第二微機電元件(20)布置在封閉的第二腔室(23)中，其特征在于，所述第二腔室(23)包括密封或封閉的開口(30)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述開口(30)包括激光封裝或沉積層作為封閉件(31)或密封件(31)。