[發明專利]一種錐狀雙曲超材料光子結構及其制備方法在審
| 申請號: | 201910514914.2 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN110320579A | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 梁強兵;李國輝;崔艷霞;高琳華;石林林;王文艷;郝玉英 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | G02B5/00 | 分類號: | G02B5/00;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/08 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 030024 山西*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 錐狀 超材料 光子結構 制備 復合層 介質層 從上至下 光子器件 襯底 寬譜 復合 玻璃 | ||
1.一種錐狀雙曲超材料光子結構,其特征在于:從上至下依次為錐狀MoO3/Ag復合層、Ag膜、MoO3介質層、玻璃襯底,MoO3介質層厚度為2nm,Ag膜厚度為300 nm,錐狀MoO3/Ag復合層由2-3層MoO3/Ag復合而成,其中,每層MoO3/Ag中,MoO3厚度為20nm,Ag的厚度為15nm。
2.一種錐狀雙曲超材料光子結構制備方法,其特征在于:按照如下的步驟進行
步驟一、將玻璃材料的載玻片作為玻璃襯底,依次用去離子水、無水乙醇、異丙醇在超聲清洗機中超聲清洗各20分鐘,然后用氮氣吹干,并置于氧等離子體清洗機中清洗5 分鐘;
步驟二、MoO3介質層和Ag膜制備,利用旋轉熱蒸鍍的方法在玻璃襯底一側表面沉積MoO3介質層,沉積速率為0.015 nm/s ± 0.002 nm/s,沉積厚度為2 nm,利用旋轉熱蒸鍍的方法在MoO3介質層表面沉積Ag膜,沉積速率為0.6 nm/s ± 0.05 nm/s,沉積厚度為300 nm;
步驟三、制備并轉移超薄雙通陽極氧化鋁薄膜,用剪刀裁取帶柱形孔的聚甲基丙烯酸甲酯與雙通陽極氧化鋁復合膜PMMA/AAO膜,用鑷子將PMMA/AAO膜鋪放在Ag膜層上,AAO面面向Ag膜,用鑷子同時夾住玻璃襯底與PMMA/AAO膜,將玻璃襯底與PMMA/AAO膜豎直起來插入丙酮中浸泡,去除PMMA/AAO膜上的PMMA,形成超薄雙通陽極氧化鋁AAO納米模板;
步驟四、沉積一層錐狀MoO3/Ag層,利用正對真空熱蒸鍍的方法在倒錐形孔中沉積MoO3,沉積速率為0.015 nm/s ± 0.002 nm/s,沉積厚度為20 nm;利用正對真空熱蒸鍍的方法,在倒錐形孔中沉積Ag,沉積速率為0.6 nm/s ± 0.05 nm/s,沉積厚度為15 nm;
步驟五、在真空氣相沉積系統中,重復步驟四1-2次,在柱形孔中形成錐狀MoO3/Ag復合層;
步驟六、超薄雙通陽極氧化鋁模板的去除,用膠帶揭去超薄雙通極氧化鋁AAO納米模板,即獲得錐狀雙曲超材料光子結構。
3.根據權利要求2所述的一種錐狀雙曲超材料光子結構制備方法,其特征在于:超薄雙通陽極氧化鋁AAO納米模板上的倒錐形孔為六角密排的納米孔陣,納米孔陣列的孔間距為450±10nm,孔徑為300±10nm,孔深為600±10nm。
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