[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910514165.3
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN110896065A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 李源俊;申多慧;李一炯
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L43/02;H01L43/08
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

導電結構，所述導電結構位于襯底上；

蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述導電結構上；

絕緣層，所述絕緣層位于所述蝕刻停止層上；以及

接觸插塞，所述接觸插塞延伸穿過所述蝕刻停止層和所述絕緣層并接觸所述導電結構，

其中，所述接觸插塞包括順序堆疊并彼此接觸的第一導電圖案結構和第二導電圖案結構，所述第一導電圖案結構的上表面的寬度大于所述第二導電圖案結構的下表面的寬度，并且所述第一導電圖案結構的至少上部具有不垂直于所述襯底的上表面而是相對于所述襯底的所述上表面傾斜的側壁。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的所述上表面的所述寬度大于所述第一導電圖案結構的下表面的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的下部包括基本垂直于所述襯底的所述上表面的側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的下部包括斜率與所述第一導電圖案結構的上部的斜率基本相同的側壁。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的所述上部的側壁相對于所述襯底的所述上表面具有第一斜率，并且

其中，所述第一導電圖案結構的下部的側壁相對于所述襯底的所述上表面具有大于所述第一斜率的第二斜率。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電圖案結構具有基本垂直于所述襯底的所述上表面的側壁。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的所述上部的所述側壁相對于所述襯底的所述上表面具有第一斜率，并且

其中，所述第二導電圖案結構的側壁相對于所述襯底的所述上表面具有大于所述第一斜率的第二斜率。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構的下部的寬度與所述第二導電圖案結構的寬度基本相同。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述蝕刻停止層包括氮化硅或碳氮化硅。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣層包括氧化硅。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案結構包括第一導電圖案以及覆蓋所述第一導電圖案的下表面和側壁的第一阻擋圖案，并且所述第二導電圖案結構包括第二導電圖案和覆蓋所述第二導電圖案的側壁的第二阻擋圖案。

12.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

導電結構，所述導電結構位于襯底上；

蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述導電結構上；

絕緣層，所述絕緣層位于所述蝕刻停止層上；以及

接觸插塞，所述接觸插塞在基本垂直于所述襯底的上表面的豎直方向上延伸穿過所述蝕刻停止層和所述絕緣層，并接觸所述導電結構，

其中，所述接觸插塞在所述豎直方向上在所述接觸插塞的至少中心部分處包括突出部分，所述突出部分在與所述襯底的所述上表面基本平行的水平方向上突出。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述突出部分不僅形成在所述中心部分處，而且還形成在所述接觸插塞的下部處。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞的下部包括相對于所述襯底的所述上表面具有恒定斜率的側壁。

15.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞的上部包括相對于所述襯底的所述上表面具有恒定斜率的側壁。