[發明專利]發光二極管的承載結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201910514124.4
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN110610893B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 吳炳昇;吳昭文;翁俊仁
• 申請（專利權）人: 啟端光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 賈慧琴;劉琰

本發明公開一種發光二極管的承載結構及其制造方法，其包括承載基板、黏附層以及犧牲結構。黏附層設置于承載基板上。犧牲結構設置于黏附層上，并包括支撐柱以及截斷層，截斷層設置于支撐柱上。其中，犧牲結構的結構強度足以承載發光二極管，且當外力施加于發光二極管或承載基板時，截斷層為最先被破壞的層，而使發光二極管與承載基板分離。

技術領域

本發明關于一種發光二極管的承載結構及其制造方法，特別是適用于微發光二極管，而利用犧牲結構作為犧牲層，使微發光二極管能夠安全地與承載基板脫離的發光二極管承載結構及其制造方法。

背景技術

近來顯示技術的進步突飛猛進，對顯示器的畫質要求也越來越高，而目前的顯示器為以發光二極管(light-emitting diode,LED)顯示器和有機發光二極管顯示器(organic light-emitting diode,OLED)為主，有機發光二極管顯示器的像素雖高，但有機發光二極管的壽命不長；發光二極管顯示器像素雖低于有機發光二極管顯示器的像素，但發光二極管的壽命較高。因此，近來廠商想將發光二極管的尺寸縮小為微發光二極管(micro light-emitting diode,micro-LED)，并將微發光二極管應用于顯示器，但是，由于微發光二極管的尺寸為微米等級，勢必需要犧牲結構的輔助來進行巨量轉移(masstransfer)，以將微發光二極管順利地轉移至顯示器的電路板，但利用微發光二極管制造的顯示器良率始終無法改善。

美國專利公告號US9153548B2的專利利用支撐柱狀結構(stabilization post)將微發光二極管轉移至承載基板，進而將其轉移至顯示器的電路板上，但支撐柱狀結構為直接接觸微發光二極管的導電接點，微發光二極管在轉移的過程會對導電接點造成損害，造成微發光二極管無法順利發亮。

綜上所述，本發明的發明者思索并設計一種發光二極管承載結構及其制造方法，以期針對公知技術的缺失加以改善，進而增進產業上的實施利用。

發明內容

有鑒于上述公知的問題，本發明的目的在于提供一種發光二極管的承載結構及其制造方法，用以解決公知技術中所面臨的問題。

基于上述目的，本發明提供一種發光二極管的承載結構，其包括承載基板、黏附層以及犧牲結構。黏附層設置于承載基板上；犧牲結構設置于黏附層上并包括支撐柱以及截斷層，截斷層設置于支撐柱上。其中，犧牲結構的結構強度足以承載發光二極管，且當外力施加于發光二極管或承載基板時，截斷層為最先被破壞的層，而使發光二極管與承載基板分離。本發明的發光二極管承載結構，透過截斷層的設置，使發光二極管和承載基板脫離，而能將脫離后的發光二極管順利轉置于顯示器的電路板。

優選地，犧牲結構設置于發光二極管的電極和黏附層之間。

優選地，犧牲結構設置于發光二極管的絕緣區和黏附層之間。

優選地，犧牲結構設置于發光二極管的周側和黏附層之間。

優選地，截斷層的截面積小于或等于支撐柱之截面積。

優選地，截斷層的支撐力小于支撐柱的支撐力。

優選地，截斷層的接口接合力小于支撐柱的接口接合力。

基于上述目的，本發明提供一種發光二極管的承載結構的制造方法，其包括：(1)依序沉積截斷層及支撐層于發光二極管上。(2)部分蝕刻截斷層和支撐層，進而形成支撐柱，支撐柱和截斷層形成犧牲結構。(3)沉積黏附層于支撐柱上，使承載基板黏附于黏附層上，以形成疊層組件。(4)移除發光二極管的原生基板，并翻轉疊層組件而以犧牲結構支撐發光二極管。其中，犧牲結構的結構強度足以承載發光二極管，且當外力施加于發光二極管或承載基板時，截斷層為最先被破壞的層，而使發光二極管與承載基板分離。透過前述的制造方法，成功地將發光二極管從原生基板轉置于承載基板。

優選地，于沉積黏附層于支撐柱之前，沉積涂布層以覆蓋犧牲結構，并部份蝕刻涂布層以暴露支撐柱