[發明專利]處理基板的方法

有效

• 申請號: 201910514110.2
• 申請日: 2015-02-17
• 公開（公告）號: CN110211859B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: G·巴拉蘇布拉馬尼恩;J·C·羅查－阿爾瓦雷斯;R·薩卡拉克利施納;R·金;D·R·杜鮑斯;K·H·弗勞德;A·K·班塞爾;T·A·恩古耶
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/687;C23C16/509;C23C16/458
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種處理基板的方法，包括以下步驟：

將膜的第一部分沉積在處于第一位置中的基板上；

停止所述膜的所述第一部分的沉積；

嚙合旋轉構件以將所述基板從所述第一位置旋轉到不同于所述第一位置的第二位置；以及

將所述膜的第二部分沉積在處于所述第二位置中的所述基板上，

其中所述基板設置在邊緣環上，

其中所述嚙合旋轉構件以旋轉所述基板的步驟進一步包括：使基座下降而不與所述邊緣環接觸；以及旋轉所述旋轉構件。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：

停止所述膜的所述第二部分的沉積；

嚙合所述旋轉構件以將所述基板從所述第二位置旋轉到不同于所述第一位置和所述第二位置的第三位置；

將所述膜的第三部分沉積在處于所述第三位置中的所述基板上；

停止所述膜的所述第三部分的沉積；

嚙合所述旋轉構件以將所述基板從所述第三位置旋轉到不同于所述第一位置、所述第二位置和所述第三位置的第四位置；以及

將所述膜的第四部分沉積在處于所述第四位置中的所述基板上。

3.如權利要求2所述的方法，其中處于所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置和所述第四位置的每一個位置中的所述旋轉構件的高度是相同的。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第二位置是從所述第一位置旋轉90°。

5.如權利要求3所述的方法，其中所述第三位置是從所述第二位置旋轉90°。

6.如權利要求3所述的方法，其中所述第四位置是從所述第三位置旋轉90°。

7.如權利要求1所述的方法，其中在沉積所述膜的第一部分以及沉積所述膜的第二部分期間，所述基板設置在基座上。

8.如權利要求1所述的方法，其中在旋轉所述基板期間，所述基板由邊緣環支撐。

9.一種處理基板的方法，包括以下步驟：

使邊緣環與基座接觸，所述邊緣環設置在處理腔室中；

將所述基座和所述邊緣環舉升到處理位置；

將膜沉積在基板上，其中在所述沉積期間所述基板設置在位于所述處理位置中的所述邊緣環上；

使所述邊緣環與旋轉構件接觸，并且使所述基座從所述處理位置下降，其中所述邊緣環在使所述基座下降時與所述基座間隔開；以及

在所述旋轉構件與所述邊緣環接觸的同時，旋轉所述旋轉構件。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述使所述基座從所述處理位置下降的步驟包括使所述基座以介于0.01英寸至1英寸之間的距離從所述邊緣環解耦。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述將膜沉積在基板上的步驟以及對所述旋轉構件的旋轉的步驟是順序執行的。

12.如權利要求9所述的方法，其中所述將膜沉積在基板上的步驟以及對所述旋轉構件的旋轉的步驟是同時執行的。

13.如權利要求9所述的方法，進一步包括：

在將膜沉積在所述基板上期間，經由設置在所述基座中的加熱器來加熱所述基板。

14.一種處理基板的方法，包括以下步驟：

使設置在處理腔室中的邊緣環與旋轉構件嚙合；

舉升所述旋轉構件以使遮蔽環與所述邊緣環嚙合；

舉升基座以嚙合所述邊緣環，所述邊緣環具有設置在所述邊緣環上的所述遮蔽環；

在所述邊緣環設置在所述基座上的同時，執行沉積工藝；

通過使所述基座下降來使所述基座從所述邊緣環松開；

旋轉所述旋轉構件以旋轉所述邊緣環和所述遮蔽環；以及

通過舉升所述基座以接觸所述邊緣環來重新嚙合所述邊緣環。