[發(fā)明專利]低漏電流充電泵電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910513625.0
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN110266186B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 朱吉涵;劉才
• 申請（專利權）人: 廈門思力科電子科技有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 陳巍巍

1.一種低漏電流充電泵電路，其特征在于，該低漏電流充電泵電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第一反相器、第二反相器、電容、運算放大器、第一電流源、第一電流鏡電路以及第二電流鏡電路；

所述第一晶體管的柵極連接至所述第一反相器的輸入端，并作為第一控制信號輸入端；

所述第一晶體管的漏極分別連接至所述第三晶體管的漏極、所述電容的正極端以及所述運算放大器的正輸入端，并作為所述低漏電流充電泵電路的信號輸出端；

所述第一晶體管的源極分別連接至所述第二晶體管的源極和所述第一電流鏡電路的輸出端，所述第一晶體管的襯底分別連接至所述第二晶體管的襯底、所述第五晶體管的源極以及所述第一電流源的輸出端；

所述第二晶體管的柵極連接至所述第一反相器的輸出端，所述第二晶體管的漏極分別連接至所述第四晶體管的漏極、所述第五晶體管的柵極、所述運算放大器的負輸入端以及所述運算放大器的輸出端；

所述第三晶體管的柵極連接至所述第二反相器的輸入端，并作為第二控制信號輸入端；

所述第三晶體管的源極分別連接至所述第四晶體管的源極和所述第二電流鏡電路的輸出端；

所述第三晶體管的襯底、所述第四晶體管的襯底、所述第五晶體管的漏極以及所述電容的負極端均連接至接地；

所述第四晶體管的柵極連接至所述第二反相器的輸出端；

所述第五晶體管的襯底和所述第一電流源的輸入端分別連接至電源電壓；

所述第一電流鏡電路和所述第二電流鏡電路均為提供鏡像電流的模擬電路。

2.根據(jù)權利要求1所述的低漏電流充電泵電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管及所述第五晶體管均為PMOS管，所述第三晶體管和所述第四晶體管均為NMOS管。

3.根據(jù)權利要求1所述的低漏電流充電泵電路，其特征在于，所述第一電流鏡電路包括第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管以及第二電流源；

所述第六晶體管的源極、所述第六晶體管的襯底、所述第七晶體管的源極、所述第七晶體管的襯底、所述第八晶體管的襯底以及所述第九晶體管的襯底均連接至電源電壓；

所述第六晶體管的柵極分別連接至所述第六晶體管的漏極、所述第七晶體管的柵極以及所述第八晶體管的源極；

所述第七晶體管的漏極連接至所述第九晶體管的源極；

所述第八晶體管的柵極分別連接至所述第八晶體管的漏極、所述第九晶體管的柵極以及所述第二電流源的輸入端；

所述第九晶體管的漏極作為所述第一電流鏡電路的輸出端；

所述第二電流源的輸出端連接至接地。

4.根據(jù)權利要求3所述的低漏電流充電泵電路，其特征在于，所述第六晶體管、所述第七晶體管、所述第八晶體管以及所述第九晶體管均為PMOS管。

5.根據(jù)權利要求1所述的低漏電流充電泵電路，其特征在于，所述第二電流鏡電路包括第十晶體管、第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管以及第三電流源；

所述第十晶體管的源極、所述第十晶體管的襯底、所述第十一晶體管的源極、所述第十一晶體管的襯底、所述第十二晶體管的襯底以及所述第十三晶體管的襯底均連接至接地；

所述第十晶體管的柵極分別連接至所述第十晶體管的漏極、所述第十一晶體管的柵極以及所述第十二晶體管的源極；

所述第十一晶體管的漏極連接至所述第十三晶體管的源極；

所述第十二晶體管的柵極分別連接至所述第十二晶體管的漏極、所述第十三晶體管的柵極以及所述第三電流源的輸出端；

所述第十三晶體管的漏極作為所述第二電流鏡電路的輸出端；

所述第三電流源的輸入端連接至電源電壓。

6.根據(jù)權利要求5所述的低漏電流充電泵電路，其特征在于，所述第十晶體管、所述第十一晶體管、所述第十二晶體管以及所述第十三晶體管均為PMOS管。