[發(fā)明專利]一種反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910509139.1 | 申請日： | 2019-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN110117005A | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李琳;趙帥 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島科技大學(xué) |
| 主分類號： | C01B32/19 | 分類號： | C01B32/19;C01B21/064;C01G39/06 |
| 代理公司： | 青島高曉專利事務(wù)所(普通合伙) 37104 | 代理人： | 付麗麗 |
| 地址： | 266061 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膨脹填料 制備 層狀填料 膨脹技術(shù) 自增壓 無機(jī)碳酸鹽 質(zhì)子酸反應(yīng) 層間擴(kuò)散 插層處理 二維納米 氧化性質(zhì) 產(chǎn)率 對插 片層 剝離 膨脹 調(diào)控 | ||
1.一種反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
(1)層狀填料的插層處理：以非氧化性質(zhì)子酸為插層劑，對層狀填料進(jìn)行插層處理，得到插層填料；
(2)插層填料的膨脹處理：以無機(jī)碳酸鹽為氣源，與插層填料層間的質(zhì)子酸反應(yīng)，產(chǎn)生二氧化碳，控制體系的溫度和壓力，使氣體擴(kuò)散到填料的層間，然后釋放壓力和/或升溫實(shí)現(xiàn)氣體對填料的膨脹，得到膨脹填料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法，其特征在于，所述體系溫度為0℃～50℃和壓力為1MPa～20MPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法，其特征在于，所述步驟2)在對填料膨脹之前，將液體介質(zhì)加入反應(yīng)釜中，在液體介質(zhì)中釋放壓力和/或升溫實(shí)現(xiàn)氣體對填料的膨脹，接著采用超聲或剪切對上述膨脹填料進(jìn)行剝離，可高產(chǎn)率的制備少層二維納米填料，所述液體介質(zhì)為純?nèi)軇┗蚝蟹稚⒅鷦┑娜芤骸?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法，其特征在于，所述非氧化性質(zhì)子酸為：濃硫酸、發(fā)煙硫酸、濃磷酸、甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸、苯磺酸、二氯乙酸、烷基磺酸及它們的衍生物中的至少一種，所述層狀填料為：黏土、石墨、氮化硼、黑磷、金屬化合物及它們的衍生物中的至少一種。
5.一種權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述反應(yīng)自增壓膨脹技術(shù)制備膨脹填料的方法制備的膨脹填料。
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