[發明專利]一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路

在審

• 申請號: 201910508998.9
• 申請日: 2019-06-13
• 公開（公告）號: CN110311632A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 彭林;章國豪
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F1/32;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/24
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所 44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，包括偏置電路和放大電路；

其中，所述放大電路包括匹配電路、隔直電容C1、射頻功率管QRF、電感L1；匹配電路連接于射頻輸入端與隔直電容C1之間，隔直電容C1的另一端與射頻功率管QRF的基極連接；而電感L1連接于射頻功率管QRF的集電極與Vcc端之間，射頻輸出端分別與射頻功率管QRF和電感L1連接；

所述偏置電路包括溫度補償模塊、線性化電容C2、以二極管方式連接的晶體管Q3；線性化電容C2一端接地，另一端分別與溫度補償模塊和晶體管Q3連接；晶體管Q3的一端與隔直電容C1和射頻功率管QRF之間的電路連接。

2.根據權利要求1所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述溫度補償模塊包括三極管Q1、三極管Q2以及電阻R1、R3、R4；

其中，所述三極管Q2的集電極與電阻R4的一端連接，其基極分別與電阻R1和R3的一端連接，其發射極和R1的另一端均接地；

而所述電阻R3的另一端和電阻R4的另一端均與Vref端連接；

所述三極管Q1與電阻R1并聯；

所述線性化電容C2的一端接于三極管Q2的集電極到電阻R4的通路上。

3.根據權利要求2所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述電阻R1與三極管Q2基極連接的一端，與三極管Q1的集電極連接；電阻R1的另一端與三極管Q1的發射極連接；所述三極管Q1的集電極和基極短接，形成二極管結構。

4.根據權利要求2所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述溫度補償模塊還包括有電阻R2，該電阻R2接于三極管Q2的發射極到地的通路上。

5.根據權利要求3所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述三極管Q1和三極管Q2為同種類型的器件，兩者的各項參數均等。

6.根據權利要求1所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述晶體管Q3的基極與線性化電容C2連接，其發射極與隔直電容C1和射頻功率管QRF之間的電路連接，其集電極與其基極短接。

7.根據權利要求1所述的一種具有高溫漂抑制能力的自適應偏置電路，其特征在于，所述匹配電路為L型匹配結構，由電容C2和電感L2組成；其中，所述電容C2和隔直電容C1串聯，所述電感L2與隔直電容C1并聯。