[發明專利]金屬硅化物的缺陷檢測方法及半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201910508368.1
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN110176406B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 胡航標;周倫潮
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/285
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種金屬硅化物的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

提供一襯底及覆蓋部分所述襯底的金屬硅化物層；

在所述襯底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述襯底及所述金屬硅化物層并露出所述金屬硅化物層的表面；

采用電子束轟擊所述金屬硅化物層，并根據所述金屬硅化物層逸出的二次電子的濃度分布得到所述金屬硅化物層的缺陷狀況；

在所述襯底上形成所述介質層之前，所述金屬硅化物的缺陷檢測方法還包括：

在所述襯底上順次形成抗反射材料層及保護材料層，所述抗反射材料層及所述保護材料層覆蓋所述襯底及柵極結構的頂面和側面；

在所述襯底上形成介質材料層，所述介質材料層覆蓋所述保護材料層；

減薄所述介質材料層、保護材料層及抗反射材料層直至露出所述金屬硅化物層的表面，剩余的所述介質材料層構成所述介質層，剩余的所述保護材料層及剩余的所述抗反射材料層分別構成保護層及抗反射層。

2.如權利要求1所述的金屬硅化物的缺陷檢測方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述介質層，所述介質層露出所述金屬硅化物層的表面的步驟包括：

在所述襯底上形成介質材料層，所述介質材料層覆蓋所述襯底及所述金屬硅化物層；

減薄所述介質材料層直至露出所述金屬硅化物層的表面，剩余的所述介質材料層構成所述介質層。

3.如權利要求1所述的金屬硅化物的缺陷檢測方法，其特征在于，所述襯底中形成有若干源區和若干漏區，所述源區和所述漏區間隔排列，所述源區和所述漏區之間的襯底上還形成有柵極結構，所述金屬硅化物層覆蓋所述柵極結構、所述源區和所述漏區表面。

4.如權利要求1-3中任一項所述的金屬硅化物的缺陷檢測方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的材料包括鈦硅化物、鈷硅化物、鎳硅化物或鉬硅化物中的一種或多種。

5.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有金屬硅化物層及若干柵極結構，所述金屬硅化物層覆蓋所述柵極結構的頂部；

在所述襯底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述襯底及所述柵極結構并露出所述金屬硅化物層的表面；

采用電子束轟擊所述金屬硅化物層，并根據所述金屬硅化物層逸出的二次電子的濃度分布得到所述金屬硅化物層的缺陷狀況；

在所述襯底上形成所述介質層之前，所述半導體結構的形成方法還包括：

在所述襯底上順次形成抗反射材料層及保護材料層，所述抗反射材料層及所述保護材料層覆蓋所述襯底及所述柵極結構的頂面和側面；

在所述襯底上形成介質材料層，所述介質材料層覆蓋所述保護材料層；

減薄所述介質材料層、保護材料層及抗反射材料層直至露出所述金屬硅化物層的表面，剩余的所述介質材料層構成所述介質層，剩余的所述保護材料層及剩余的所述抗反射材料層分別構成保護層及抗反射層。

6.如權利要求5所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述抗反射層的材料包括氮氧化硅，所述保護層的材料包括氮化硅，所述介質層的材料包括氧化硅。

7.如權利要求5所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學氣相沉積形成所述介質材料層。

8.如權利要求5所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構兩側的襯底中還形成有間隔排列的源區和漏區，所述金屬硅化物層還覆蓋所述源區和所述漏區。

9.如權利要求8所述半導體結構的形成方法，其特征在于，采用電子束轟擊所述金屬硅化物層之前，所述半導體結構的形成方法還包括：

刻蝕所述介質層以形成若干開口，所述開口的底部露出所述源區和所述漏區上的所述金屬硅化物層。