[發明專利]用來進行配置管理的方法以及數據存儲裝置及其控制器

有效

• 申請號: 201910503432.7
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN111400209B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 鐘建眾;郁達儒;蘇暐迦
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種用來進行配置管理的方法以及數據存儲裝置及其控制器。所述方法可包括：從一只讀存儲器讀取一只讀存儲器碼，以執行所述只讀存儲器碼；于執行所述只讀存儲器碼的期間，偵測一通用輸入輸出電路的一第一組狀態，以依據所述第一組狀態來進行所述只讀存儲器碼的一第一部分系統配置的設定；于執行所述只讀存儲器碼的期間，偵測一電子保險絲電路的一第二組狀態，以依據所述第二組狀態來進行所述只讀存儲器碼的一第二部分系統配置的設定；以及執行至少一程序代碼，以使所述數據存儲裝置備妥以供一主機存取。本發明通過基于電子保險絲電路的系統配置的設定，能針對控制器的運作進行妥善的控制，以因應各種要求來控制系統配置的設定。

技術領域

本發明關于閃存(Flash memory)的存取(access)，尤指一種用來進行配置(configuration)管理的方法以及相關的數據存儲裝置及其控制器。

背景技術

閃存可廣泛地應用于各種可攜式或非可攜式數據存儲裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS標準的記憶卡；又例如：固態硬盤；又例如：符合UFS或EMMC規格的嵌入式(embedded)存儲裝置)中。以常用的NAND型閃存而言，最初有單階細胞(single levelcell，SLC)、多階細胞(multiple level cell，MLC)等類型的閃存。由于存儲器的技術不斷地發展，較新的數據存儲裝置產品可采用三階細胞(triple level cell，TLC)閃存，甚至四階細胞(quadruple level cell，QLC)閃存。為了確保數據存儲裝置對閃存的存取控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理其內部運作。

依據現有技術，有了這些管理機制的數據存儲裝置還是有不足的處。舉例來說，當閃存的類型或型號隨著某些要求(諸如新客戶的要求、新產品的要求)而變更時，系統配置(System Configuration)設定值可能需要對應地修改，這可能導致只讀存儲器碼(ROMCode)的設計變更。此領域慣用的傳統架構通過GPIO來進行系統配置的設定，例如，拉高(Pull high)或拉低(Pulllow)GPIO接腳的電壓準位，通過設定不同的電壓準位以進行系統配置的設定。

然而，一來GPIO的接腳有數量上的限制，這導致傳統架構只能提供有限數量的系統配置設定值，無法滿足實際的需求，這意味著這個問題并未真的被解決。再者，依據傳統架構來實施數據存儲裝置會帶來額外的問題諸如某些副作用。例如：由于需要設置額外的電阻器以拉高或拉低GPIO接腳的電壓準位，故會增加數據存儲裝置的制造成本。為了放置電阻器，增加印刷電路板的面積并且增加布局(layout)的復雜度。因此，需要一種新穎的方法及相關架構，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下實現具有配置更新彈性的數據存儲裝置。

發明內容

本發明的一目的在于公開一種用來進行配置管理的方法以及相關的數據存儲裝置及其控制器，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于公開一種用來進行配置管理的方法以及相關的數據存儲裝置及其控制器，以在沒有副作用或較不可能帶來副作用的狀況下將配置更新彈性賦予數據存儲裝置。