[發明專利]振弦傳感器標定參數存貯包二芯線嵌入結構在審
| 申請號： | 201910502772.8 | 申請日： | 2019-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN110108315A | 公開（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發明（設計）人： | 楊毅 | 申請（專利權）人： | 楊毅 |
| 主分類號： | G01D18/00 | 分類號： | G01D18/00 |
| 代理公司： | 丹東匯申專利事務所 21227 | 代理人： | 徐楓燕 |
| 地址： | 118000 遼寧省丹*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 振弦傳感器 標定參數 存貯單元 通信端口 二芯線 存貯 測量端口 存貯電路 嵌入結構 公共端 雙向開關電路 測控裝置 電源電路 技術優勢 接入端口 接線結構 特性參數 外接引線 穩定信號 接入端 外接端 傳感器 標定 綁定 關聯 申請 | ||
1.一種振弦傳感器標定參數存貯包二芯線嵌入結構，其組成：包括測量端口和通信端口的存貯振弦傳感器標定參數的存貯單元，所述的存貯單元的組成包括存貯電路（F）、電源電路（P）和雙向開關電路（t-way）；
所述的測量端口（sens)是連接振弦傳感器、獲取頻率變送信號的接入端口，由接入端（L1）與公共端（END）共同構成，所述的接入端（L1）串聯單向開關（o-way）短通于通信端口（data）的外接端（L2）；
所述的通信端口（data）是存貯單元與外測控裝置連接的端口，存貯電路（F）的I/O端的外接引線為通信端口的外接端（L2），與公共端（END）共同構成；
雙向開關電路（t-way）連接在存貯電路地線（GND）與公共端（END）之間，其控制端（T)連接在電源電路（P）的供電端或通信端口的外接端（L2）上；所述的電源電路（P）連接在通信端口的外接端（L2）與存貯電路（F）的地線（GND）之間。
2.根據權利要求1所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，存貯電路（F）為存貯芯片構成，或為一線總線制的存貯芯片構成，或為含測溫功能的存貯芯片構成，或為一線總線制的含測溫功能存貯芯片構成，或為嵌入EEPROM或FLASH的單片機構成，或為外接EEPROM24LC02或含測溫功能的存貯芯片的單片機系統。
3.根據權利要求1或2所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，電源電路（P）由整流管（D1）與儲能電容（C）構成。
4.根據權利要求3所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，儲能電容（C）為極性電容或無極性電容。
5.根據權利要求1或2所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，雙向開關電路（t-way）由極性反向的二極管（D3）與單向可控硅（SCR）并聯構成，其中的二極管（D3）與電源電路的整流管（D1）極性相同。
6.根據權利要求5所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，單向開關（o-way）、雙向開關電路（t-way）的二極管（D3）為單向可控硅。
7.根據權利要求1、2所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，存貯電路（F）為管腳內置有箝位二極管的集成芯片，電源電路（P）中省去外接整流管（D1）的電路連接。
8.根據權利要求5所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，存貯電路（F）為管腳內置有箝位二極管的集成芯片，電源電路（P）中省去外接整流管（D1）的電路連接。
9.根據權利要求1或2所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，存貯電路（F）為一線總線制存貯芯片或含測溫功能的存貯芯片，雙向開關電路（t-way）的控制端（T）連接至通信端口（data）的外接端（L2）端。
10.根據權利要求5所述的振弦傳感器標定參數存貯測溫包二芯線嵌入結構，其特征在于，存貯電路（F）為一線總線制存貯芯片或含測溫功能的存貯芯片，雙向開關電路（t-way）的控制端（T）連接至通信端口（data）的外接端（L2）端。
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