[發(fā)明專利]一種透氣硅膠墊及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910502199.0
• 申請(qǐng)日: 2019-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110192785A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岳強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市魯躍橡塑有限公司
• 主分類號(hào): A47J37/06
• 分類號(hào): A47J37/06;B29D7/00
• 代理公司: 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種透氣硅膠墊，其特征在于，包括：

內(nèi)網(wǎng)，包括用于支撐的內(nèi)層支架，以及包覆在所述內(nèi)層支架上的第一硅膠層，所述內(nèi)網(wǎng)上設(shè)有貫穿所述內(nèi)層支架和所述第一硅膠層的多個(gè)透氣孔；

封邊，包括固定連接于所述內(nèi)層支架外周的支撐片，以及包覆在所述支撐片上的第二硅膠層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述內(nèi)層支架由多個(gè)第一條狀物編織而成，且多個(gè)所述第一條狀物編織為所述內(nèi)層支架之后，生成多個(gè)所述透氣孔；所述第一硅膠層包覆在所述第一條狀物上且保留所述透氣孔的貫通；所述第一條狀物的材質(zhì)為玻纖、尼龍、金屬或塑料中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述內(nèi)層支架為第一金屬片，且所述第一金屬片上的所述透氣孔通過(guò)蝕刻、激光雕刻或沖壓穿設(shè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述透氣孔為按照預(yù)設(shè)規(guī)則排布的圓孔、多邊形孔、花形孔、心形孔、樹(shù)葉孔中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述支撐片由多個(gè)第二條狀物編織而成，且多個(gè)所述第二條狀物編織為所述支撐片之后，生成多個(gè)通孔；所述第二條狀物與所述內(nèi)層支架的外周固定連接，且所述第二硅膠層包覆在所述第二條狀物上且封堵所述通孔；所述第二條狀物的材質(zhì)為玻纖、尼龍、金屬或塑料中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述支撐片為第二金屬片，且所述第二金屬片固定連接于所述內(nèi)層支架的外周。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述內(nèi)網(wǎng)還包括第三硅膠層，所述第三硅膠層覆蓋在所述第一硅膠層上，且所述第三硅膠層封堵預(yù)設(shè)的可裁剪位置對(duì)應(yīng)的所述透氣孔；所述第二硅膠層上還覆設(shè)圖案層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述第一硅膠層和所述第二硅膠層的材質(zhì)包括無(wú)溶劑硅膠，所述第一硅膠層和所述第二硅膠層的材質(zhì)還包括靜電材料、高溫色漿和用于增加所述無(wú)溶劑硅膠的附著力的處理劑中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種透氣硅膠墊，其特征在于：所述第一硅膠層和所述第二硅膠層的厚度為0.1mm-2mm；所述封邊的厚度大于或等于所述內(nèi)網(wǎng)的厚度，所述封邊與所述內(nèi)網(wǎng)的厚度差為0mm-1mm。

10.一種透氣硅膠墊的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S10、制備內(nèi)層支架；

所述步驟S10包括使用第一條狀物編織包含透氣孔的內(nèi)層支架，或通過(guò)蝕刻、激光雕刻或沖壓穿設(shè)等工藝在第一金屬片上穿設(shè)透氣孔之后，制成內(nèi)層支架；

S20、制備支撐片；

所述步驟S20包括使用第二條狀物編織包含通孔的支撐片，或裁切與所述內(nèi)層支架適配的第二金屬片，制成支撐片；

S30、固定連接所述內(nèi)層支架的外周與所述支撐片的內(nèi)周；

S40、制備液體硅膠；

所述步驟S40包括將硅膠、處理劑、靜電材料或高溫色漿投入攪拌罐中并對(duì)其進(jìn)行攪拌操作；

S50、將所述液體硅膠包覆在所述內(nèi)層支架與所述支撐片上，令所述內(nèi)層支架上包覆第一硅膠層，且保留所述透氣孔的貫通，且令所述支撐片上包覆所述第二硅膠層。

所述步驟S50包括：

在立式液體涂布機(jī)上，將所述液體硅膠通過(guò)1-8把自動(dòng)噴槍高壓噴射到所述內(nèi)層支架與所述支撐片上；

在50-300℃的溫度下，將被噴射所述液體硅膠之后的所述內(nèi)層支架與所述支撐片進(jìn)行硫化時(shí)長(zhǎng)為3-30分鐘的硫化定型，并生成包覆在所述內(nèi)層支架上的第一硅膠層與包覆在所述支撐片上的第二硅膠層，完成所述透氣硅膠墊的制備；其中，所述內(nèi)層支架的所述透氣孔貫穿所述第一硅膠層。