[發明專利]一種用于壓接型IGBT的絕緣框架結構

在審

• 申請號: 201910501701.6
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN110416194A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 張雷;楊曉亮;杜玉杰;李金元;張西子;陳艷芳
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L29/739;H01L23/04;H01L23/08
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，包括內凹槽、E極立柱、G極立柱、導向隔板和傘裙；

所述導向隔板和傘裙分別位于內凹槽的下側和外側，所述E極立柱和G極立柱均豎直設置在內凹槽內部；

所述傘裙包括至少兩層依次排列的L型傘裙片。

2.根據權利要求1所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述傘裙片的數量隨電壓等級的升高而依次遞增。

3.根據權利要求1所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述L型傘裙片的長度相等或按照從外到里的順序依次遞增。

4.根據權利要求2所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述L型傘裙片的厚度小于相鄰L型傘裙片的間距。

5.根據權利要求1所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述內凹槽包括位于底部的分隔板和位于四周的擋板；

所述分隔板上設有灌膠口和排氣孔。

6.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述灌膠口為圓形或橢圓形，用于封裝IGBT芯片時灌注硅凝膠；

所述排氣孔設有多個且均勻分布，用于灌注硅凝膠時排除空氣。

7.根據權利要求5所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述內凹槽的深度與硅凝膠的厚度相等。

8.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述E極立柱的一側與分隔板連接，其另一側與IGBT芯片設有預設距離。

9.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述E極立柱的內部設有孔，所述孔為方形孔，所述方形孔用于放置E極鉬片，并對E極引出端進行限位。

10.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述G極立柱一側與分隔板連接；

所述G極立柱的內部設有孔，所述孔對G極引出端進行限位。

11.根據權利要求1所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述E極立柱的數量與IGBT芯片數量相等；

所述G極立柱的數量至少為兩個。

12.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述導向隔板豎直設置于分隔板下側，其設有孔；

所述孔與E極立柱的孔以及G極立柱的孔相通，用于將IGBT芯片的E極引出端壓入E極立柱時對E極引出端進行導向定位和相互隔離，并用于將IGBT芯片的G極引出端壓入G極立柱時對G極引出端進行導向定位和相互隔離。

13.根據權利要求10所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述E極引出端的數量與E極立柱的數量相等，所述G極引出端的數量與G極立柱的數量相等；

所述導向隔板上孔的尺寸與G極引出端和E極引出端相匹配，所述孔的數量為E極引出端的數量與G極引出端的數量之和。

14.根據權利要求4所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述絕緣框架結構還包括支撐槽，所述支撐槽用于對IGBT芯片進行封裝時的C極鉬板進行定位和支撐；

所述支撐槽尺寸與C極鉬片相匹配，所述C極鉬片與分隔板平行。

15.根據權利要求12所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述支撐槽內部設有凹槽，所述凹槽內填充粘結劑；

所述粘結劑用于將對IGBT芯片進行封裝時的C極鉬板與支撐槽固定。

16.根據權利要求1所述的用于壓接型IGBT的絕緣框架結構，其特征在于，所述絕緣框架結構采用阻燃樹脂類改性塑料開模注塑成型，其尺寸偏差不大于0.1mm；

所述絕緣框架結構的高度高于對應電壓等級電氣間隙要求的高度，且相比漏電起痕指數大于等于600。