[發明專利]鍍膜裝置以及石英舟表面鍍覆系統

在審

• 申請號: 201910501608.5
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN110129766A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發明（設計）人: 牛曉東;趙青松;何志達;朱劉
• 申請（專利權）人: 廣東先導稀材股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/26;C23C16/40;C30B11/00;C30B29/08
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

本發明提供鍍膜裝置以及石英舟表面鍍覆系統。鍍膜裝置包括噴頭，噴頭設有沿徑向由外到內依次布置且彼此間隔開的第一通道、第二通道和第三通道，噴頭具有第一端和第二端，第一端具有第一端面，第一端面設有沿徑向由外到內依次布置且彼此間隔開的第一噴口、第二噴口和第三噴口，第一噴口呈封閉的連續的環形，第二噴口沿周向整圈分布，第一噴口與第一通道連通，第二噴口與第二通道連通，第三噴口與第三通道連通，第一通道用于連通于提供具有壓力和速度的保護氣體的保護氣體源，第二通道用于連通于提供具有壓力和速度的氧氣的氧氣源，第三通道用于連通于提供具有壓力和速度的形成鍍膜的組分的氣體的組分源。由此能提高在石英舟上鍍覆的鍍膜的牢固性。

技術領域

本發明涉及鍍覆技術，更具體地涉及一種鍍膜裝置以及石英舟表面鍍覆系統。

背景技術

熔體法單晶生長技術已經廣泛應用于當代工業，尤其在高純材料領域。然而在晶體生長過程中，高溫熔體與石英容器直接接觸時，不僅會影響晶體品質，也可能造成石英容器的損壞。

超高純鍺探測器在高科技領域扮演著日益重要的角色，其廣泛應用于核物理、粒子物理、天體物理的實驗研究。在探測粒子，特別是X、γ射線方面同時具有能量分辨率好、探測效率高、穩定性強等優點，是其他γ探測器所不及的。其對X、γ能量分辨率達千分之幾，比NaI。、CdTe、HgI₂、GaAs等常用的晶體探測器的能量分辨率高一個量級。超高純鍺區域提純往往采用石英舟作為盛料容器，但高溫下石英與鍺料會有微弱的反應發生，引起雜質擴散，而且冷卻時鍺料會與石英粘連，導致石英舟破裂。為解決這類問題，石英舟鍍膜逐漸成為一種關鍵技術。

石英舟鍍膜通常采用熱裂解沉積碳膜或熱反應沉積二氧化硅鍍膜，通常將待形成鍍膜的組分的氣體通入到大的空間內(通常是封閉空間)，在該大的空間內進行反應形成待沉積的鍍膜物質，形成的待沉積的鍍膜物質在大的空間再沉積到石英舟，這種方式使得最終在石英舟上鍍覆的鍍膜的牢固性較差。

發明內容

鑒于現有技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種鍍膜裝置以及一種石英舟表面鍍覆系統，其能提高在石英舟上鍍覆的鍍膜的牢固性。

為了實現上述目的，在第一方面，本發明提供了一種鍍膜裝置，其包括噴頭，噴頭在內部設有沿徑向由外到內依次布置且彼此間隔開的第一通道、第二通道和第三通道，噴頭具有軸向相反的第一端和第二端，第一端具有與軸向相交的第一端面，第一端面設有沿徑向由外到內依次布置且彼此間隔開的第一噴口、第二噴口和第三噴口，第一噴口呈封閉的連續的環形，第二噴口沿周向整圈分布，第一噴口與第一通道連通，第二噴口與第二通道連通，第三噴口與第三通道連通，第一通道在第二端用于連通于提供具有壓力和速度的保護氣體的保護氣體源，第二通道在第二端用于連通于提供具有壓力和速度的氧氣的氧氣源，第三通道在第二端用于連通于提供具有壓力和速度的形成鍍膜的組分的氣體的組分源。

在一實施例中，第一噴口呈圓環形。

在一實施例中，第二噴口包括多個通孔，多個通孔沿周向以一圈彼此間隔地布置。

在一實施例中，第三噴口包括多個第一穿孔以及一個第二穿孔，第一穿孔成圈布置且各圈中的第一穿孔沿周向彼此間隔，第二穿孔沿徑向位于最內圈的第一穿孔的內側。

在一實施例中，鍍膜裝置還包括第一管體、第二管體和第三管體，第一管體、第二管體和第三管體沿徑向部分彼此嵌套，第一管體將第一通道和保護氣體源連接，第二管體將第二通道和氧氣源連接，第三管體將第三通道和組分源連接。