[發明專利]芯片封裝結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201910501116.6 | 申請日: | 2019-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN111696874A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 黃東鴻;黃國樑 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/24 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,包括:
提供線路基板與芯片,其中所述線路基板形成有兩階段熱固性膠層,且所述芯片的主動表面形成有導電柱與支撐柱;
使所述線路基板通過所述兩階段熱固性膠層抵接所述芯片的所述主動表面,并使所述兩階段熱固性膠層落在所述導電柱與所述支撐柱之間,接著,進行接合程序,所述芯片通過所述導電柱電性連接所述線路基板,并受所述支撐柱支撐定位于所述線路基板;
形成封裝膠體于所述線路基板上,以包覆所述芯片、所述導電柱、所述支撐柱以及所述兩階段熱固性膠層;以及
加熱使所述兩階段熱固性膠層完全固化。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,所述制作方法還包括:
在使所述線路基板通過所述兩階段熱固性膠層抵接所述芯片的所述主動表面之前,使所述兩階段熱固性膠層預固化。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,所述制作方法還包括:
在形成所述封裝膠體于所述線路基板上之前,形成底膠層于所述線路基板與所述芯片的所述主動表面之間,以包覆所述導電柱、所述支撐柱與所述兩階段熱固性膠層。
4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,所述兩階段熱固性膠層呈糊狀,在使所述線路基板通過所述兩階段熱固性膠層抵接所述芯片的所述主動表面的過程中,所述兩階段熱固性膠層受壓變形,以包覆所述導電柱與所述支撐柱。
5.一種芯片封裝結構,其特征在于,包括:
線路基板;
芯片,具有主動表面,其中所述主動表面設有導電柱與支撐柱,所述芯片通過所述導電柱電性連接所述線路基板,并受所述支撐柱支撐定位于所述線路基板;
兩階段熱固性膠層,設置于所述芯片的所述主動表面與所述線路基板之間;以及
封裝膠體,設置于所述線路基板上,以包覆所述芯片、所述導電柱、所述支撐柱以及所述兩階段熱固性膠層。
6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述兩階段熱固性膠層連接所述線路基板與所述芯片,并落在所述導電柱與所述支撐柱之間。
7.根據權利要求5所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述兩階段熱固性膠層連接所述線路基板與所述芯片,并包覆所述導電柱與所述支撐柱。
8.根據權利要求5所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述芯片封裝結構還包括底膠層,設置于所述線路基板與所述芯片的所述主動表面之間,以包覆所述導電柱、所述支撐柱以及所述兩階段熱固性膠層。
9.根據權利要求5所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述芯片具有中心區及邊緣區,所述中心區較所述邊緣區遠離所述芯片的側壁,且所述導電柱位于所述中心區,所述支撐柱位于所述邊緣區。
10.根據權利要求5所述的芯片封裝結構,其特征在于,所述芯片封裝結構包括多個所述導電柱與多個所述支撐柱,且所述多個導電柱位于所述多個支撐柱之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





