[發明專利]一種絕緣材料窗及其制造方法以及電感耦合等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201910499413.1
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN112071734A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 左濤濤;龐曉貝
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J9/00
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張妍

1.一種用于電感耦合等離子體處理裝置的絕緣材料窗部件，包括：

絕緣材料窗；

電感耦合線圈，所述電感耦合線圈的底面貼合在所述絕緣材料窗的上表面；

加熱器層，所述加熱器層設置在所述電感耦合線圈上方；

其中，所述電感耦合線圈與所述加熱器層之間包括一絕緣層。

2.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈通過涂敷方式直接形成在所述絕緣材料窗的上表面，所述涂敷方式包括等離子濺射涂敷。

3.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈通過沉積方式直接形成在所述絕緣材料窗的上表面，所述沉積方式包括物理氣相沉積或化學氣相沉積。

4.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈通過印刷方式直接形成在所述絕緣材料窗的上表面，所述印刷方式包括絲網印刷或3D印刷。

5.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述絕緣層覆蓋所述電感耦合線圈和電感耦合線圈之間的間隙。

6.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述絕緣層與所述電感耦合線圈之間存在間隙。

7.根據權利要求5所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述絕緣層的厚度大于0.5mm。

8.根據權利要求5所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述絕緣層為氧化鋁或氮化鋁。

9.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈為銅或鎢。

10.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈是平面結構。

11.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈是包括多層線圈的立體結構。

12.根據權利要求11所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈包括三層結構，其中，底部線圈位于底部層，中間層是絕緣層，第一線圈和第二線圈位于頂部層；

第一線圈的第一端連接到射頻電源，第一線圈的第二端通過第一連接部連接到底部線圈的第一端，底部線圈的第二端通過第二連接部連接到第二線圈的第一端，第二線圈的第二端連接到接地端，第一連接部和第二連接部分別穿過絕緣層；

第一線圈和第二線圈之間在徑向上存在間隙，并且第一線圈和第二線圈在底部層上的投影處于底部線圈內。

13.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述加熱器層是單層的加熱絲，所述加熱絲包括第一加熱絲和第二加熱絲，所述第一加熱絲和所述第二加熱絲平行地布置在絕緣材料窗的徑向和周向上，并且通過第一加熱絲中的電流的方向與通過第二加熱絲中的電流的方向相反。

14.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述加熱器層包括兩個絕緣子層以及設置在兩個絕緣子層之間的加熱絲。

15.根據權利要求1所述的絕緣材料窗部件，其特征在于，所述電感耦合線圈通過涂敷、沉積或印刷方式直接形成在所述絕緣材料窗的上表面，且所述絕緣材料窗、所述電感耦合線圈、所述絕緣層和所述加熱器層形成一片式結構。

16.一種電感耦合等離子體處理裝置，包括：

氣密的反應腔，所述反應腔包括反應腔側壁和位于頂部的根據權利要求1-15中任一項所述的絕緣材料窗部件，以及

基座，位于所述反應腔內，且用于支撐待處理的基片。