[發明專利]陣列基板及其修復方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201910495842.1
• 申請日: 2019-06-10
• 公開（公告）號: CN110221492B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 林佩欣
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1345
• 分類號: G02F1/1345;G02F1/1362;G09G3/36
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個級聯的驅動電路，所述驅動電路包括多個薄膜晶體管和一存儲電容；

所述存儲電容包括：

形成于基板上的第一金屬層；

絕緣層，形成于所述基板上、并覆蓋所述第一金屬層；

第二金屬層，形成于所述絕緣層對應于所述第一金屬層的上方；其中，所述第二金屬層在所述基板上的投影與所述第一金屬層在所述基板上的投影有交疊；

保護層，形成于所述絕緣層上、并覆蓋所述第二金屬層；

第三金屬層，形成于所述保護層對應于所述第二金屬層的上方；其中，所述第三金屬層在所述基板上的投影與所述第二金屬層在所述基板上的投影有交疊；所述第三金屬層通過貫穿所述保護層、絕緣層的過孔與所述第一金屬層連接；所述第三金屬層開設有一掏空圖形，所述掏空圖形不超出所述第三金屬層的邊緣位置，使所述第三金屬層被所述掏空圖形間隔后的各子金屬層之間部分連接；所述第三金屬層被所述掏空圖形間隔成至少四塊子金屬層，各所述子金屬層之間部分連接，所述掏空圖形為空心的“十”字形結構，且空心的“十”字形結構中，橫向部分的寬度小于縱向部分的寬度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層對應所述過孔的位置鏤空出兩個區域。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層的厚度為500埃-2000埃。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述四塊子金屬層分別定義為第一子金屬層、第二子金屬層、第三子金屬層及第四子金屬層；所述第一子金屬層與所述第二金屬層形成第一子電容，所述第二子金屬層與所述第二金屬層形成第二子電容，所述第三子金屬層與所述第二金屬層形成第三子電容，所述第四子金屬層與所述第二金屬層形成第四子電容。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子電容、第二子電容、第三子電容或第四子電容覆蓋的區域落入雜質時，使用激光將雜質覆蓋的電容區域切割。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述驅動電路包括：

第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的第一端用于接收一控制信號，第二端電性耦接至所述第一端，第三端電性耦接至一提升節點；

第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第一端電性耦接至所述提升節點，第二端用于接收一時鐘信號，第三端用于輸出一路輸出脈沖信號；

第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的第一端電性耦接至一下拉節點，第二端接收所述輸出脈沖信號，第三端連接一預設的低電位。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述驅動電路還包括：

第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的第一端電性耦接至所述下拉節點，第二端電性耦接至所述提升節點，第三端連接所述預設的低電位。

8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多條掃描線，各級驅動電路的第二薄膜晶體管的第三端均與對應的所述掃描線電連接。

9.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容耦接在所述提升節點和所述第二薄膜晶體管的第三端之間。

10.一種如權利要求1-9任一項所述的陣列基板的修復方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一檢測設備；

通過所述檢測設備對所述驅動電路的存儲電容進行檢測；

響應于檢測到所述存儲電容中存在至少一子金屬層覆蓋的區域中有雜質，則通過激光切割將所述雜質覆蓋的區域切斷從而使得有雜質的子金屬層無法通過電連接接入所在的驅動電路。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-9任一項所述的陣列基板。