[發明專利]陣列基板及其制作方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201910495544.2 | 申請日: | 2019-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN110221490A | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 楊艷娜 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 明霖;鄭小粵 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子電極 襯底基板 像素單元 陣列基板 數據線 投影 主干 周邊連接部 公共電極 顯示裝置 像素電極 垂直的 掃描線 像素 薄膜晶體管 豎直主干 水平主干 投影距離 疇區 制作 平行 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括襯底基板以及設置在所述襯底基板上的數據線和掃描線,所述數據線和所述掃描線圍成多個像素單元,每一像素單元內設置有薄膜晶體管、公共電極和像素電極,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層;
所述公共電極包括相互垂直的第一公共子電極和第二公共子電極,所述第一公共子電極與所述數據線平行;
所述像素電極包括周邊連接部、多個條狀主干以及與所述主干連接的多個條狀像素子電極,所述主干包括相互垂直的水平主干和豎直主干,所述水平主干和所述豎直主干將所述像素單元分成多個顯示疇區,所述像素子電極位于所述顯示疇區內;
所述周邊連接部在所述襯底基板上的投影與所述第一公共子電極在所述襯底基板上的投影部分重疊,所述第一公共子電極在所述襯底基板上的投影距離所述像素子電極在所述襯底基板上的投影為5~8μm。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二公共子電極在所述襯底基板上的投影與所述水平主干在所述襯底基板上的投影重疊。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述掃描線、所述公共電極和所述柵極同層設置,且所述公共電極與位于其上方的所述像素電極共同形成存儲電容。
4.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述數據線在所述襯底基板上的投影與所述第一公共子電極在所述襯底基板上的投影不重疊。
5.如權利要求1所述陣的列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括柵絕緣層,所述柵絕緣層設置在所述柵極與同層設置的所述源極和所述漏極之間,且覆蓋所述公共電極。
6.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括鈍化層,所述鈍化層設置在所述像素電極與同層設置的所述源極和所述漏極之間,且覆蓋所述公共電極;
所述鈍化層中設置有通孔,所述像素電極與所述漏極通過所述通孔實現電連接。
7.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,多個所述顯示疇區關于所述豎直主干或所述水平主干對稱。
8.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括形成數據線、掃描線和公共電極的步驟、形成薄膜晶體管的步驟以及形成像素電極的步驟,形成所述薄膜晶體管包括形成柵極、源極、漏極和有源層的步驟,所述公共電極、所述薄膜晶體管和所述像素電極均形成在由所述掃描線和所述數據線圍成的多個像素單元內;其中,
所述公共電極包括相互垂直的第一公共子電極和第二公共子電極,所述第一公共子電極與所述數據線平行;
所述像素電極包括周邊連接部、多個條狀主干以及與所述主干連接的多個條狀像素子電極,所述主干包括相互垂直的水平主干和豎直主干,所述水平主干和所述豎直主干將所述像素單元分成多個顯示疇區,所述像素子電極位于所述顯示疇區內;
所述周邊連接部在所述襯底基板上的投影與所述第一公共子電極在所述襯底基板上的投影部分重疊,所述第一公共子電極在所述襯底基板上的投影距離所述像素子電極在所述襯底基板上的投影為5~8μm。
9.如權利要求8所述陣列基板的制作方法,其特征在于,具體包括:
在襯底基板上形成所述公共電極、所述柵極和所述掃描線;
在形成所述公共電極、所述柵極和所述掃描線的襯底基板上形成柵絕緣層;
在形成所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述有源層;
在形成所述有源層的襯底基板上形成所述數據線、所述源極和所述漏極;
在形成所述數據線、所述源極和所述漏極的襯底基板上形成鈍化層,并形成貫穿所述鈍化層的通孔,所述像素電極與所述漏極通過所述通孔實現電連接;
在形成所述鈍化層的襯底基板上形成所述像素電極。
10.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1~7任一權項所述的陣列基板。
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