[發明專利]一種硅藻土表面As（Ⅴ）離子印跡吸附材料的制備方法在審
| 申請號： | 201910494288.5 | 申請日： | 2019-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN110201648A | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 楊勤桃;解慶林;陳南春;代俊峰;曾鴻鵠;梁延鵬 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | B01J20/26 | 分類號： | B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/10 |
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| 地址： | 541004 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅藻土表面 離子印跡 吸附材料 制備 吸附 離子 丙基三甲氧基硅烷 交聯聚合反應 環氧丙氧基 環氧氯丙烷 選擇性去除 表面印跡 高選擇性 模板離子 硅藻土 后交聯 殼聚糖 洗脫 聚合 環保 | ||
1.一種硅藻土表面As（Ⅴ）離子印跡吸附材料的制備方法，其特征在于具體步驟為：
（1）預吸附：將殼聚糖、十二水砷酸鈉和甲醇水溶液按比例混合，用乙酸調節混合液pH值至3.5~5.5，超聲分散均勻，室溫下以300~400rpm的轉速磁力攪拌30min，制得As（Ⅴ）吸附溶液；
（2）交聯聚合：將硅藻土、γ-（2,3-環氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和環氧氯丙烷按比例依次加入到步驟（1）制得的As（Ⅴ）吸附溶液中，并在70℃恒溫水浴中以400~500rpm的轉速攪拌12~18h，取出冷卻、洗滌、過濾，制得復合物；
（3）干燥-洗脫-干燥：將步驟（2）制得的復合物在60℃真空干燥12h，取出后，用0.5mol/L的氫氧化鈉水溶液對復合物進行洗脫，直至洗脫液檢測不出As（Ⅴ），過濾，繼續在60℃真空干燥12h， 過100~300目篩，即制得硅藻土表面As（Ⅴ）離子印跡吸附材料；
所述步驟（1）中殼聚糖、十二水砷酸鈉和甲醇水溶液的比例是質量/質量/體積比，具體為1g:0.1~0.2g:2.0~2.5L，其中殼聚糖的脫乙酰度≥95%，甲醇水溶液中甲醇與水的體積比為9:1；
所述步驟（2）中硅藻土、γ-（2,3-環氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和環氧氯丙烷的比例是質量/體積/體積比，具體為1g:2mL:0.4mL，其中硅藻土的SiO2含量≥75%；
所述步驟（2）中的洗滌是指用體積比為1:1的甲醇/水混合液洗去復合物表面的未反應物。
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