[發(fā)明專利]內埋元件封裝結構、內埋式面封裝基板及其制造方法

在審

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• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN111696930A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 廖玉茹;陳建泛;王建皓;林弈嘉
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/492;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種內埋元件封裝結構，其特征在于，包括：

一線路基板，具有一核心層以及一非對稱線路結構，該核心層具有一第一厚度；

一內埋元件，設置于該核心層中；以及

一應力抵消層，設置于該核心層的一側，該應力抵消層具有一第二厚度，該第二厚度介于4～351微米之間。

2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該應力抵消層為包含玻纖的介電材料層。

3.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該核心層具有相對的一第一表面以及一第二表面，該非對稱線路結構包含一上導電層，該上導電層設置于該第一表面，且與該內埋元件電性連接。

4.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該核心層具有相對的一第一表面以及一第二表面，該非對稱線路結構包含至少二層的上導電層以及至少一介電材料層，該至少二層的上導電層設置于該第一表面，且與該內埋元件電性連接，該至少一介電材料層設置于該至少二層的上導電層之間。

5.如權利要求4所述的結構，其特征在于，該非對稱線路結構更包含一下導電層，設置于該第二表面。

6.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該核心層具有相對的一第一表面以及一第二表面，該非對稱線路結構包含一上導電層、至少二層的下導電層以及至少一介電材料層，該上導電層設置于該第一表面，且與該內埋元件電性連接，該至少二層的下導電層設置于該第二表面，且該至少一介電材料層設置于該至少二層的下導電層之間。

7.如權利要求6所述的結構，其特征在于，以該應力抵消層為該至少一介電材料層。

8.如權利要求1所述的結構，其特征在于，該第二厚度與該第一厚度的比值介于0.03～2.9之間。

9.如權利要求3所述的結構，其特征在于，該第二厚度與該第一厚度的比值介于0.03～1.17之間。

10.如權利要求4所述的結構，其特征在于，該第二厚度與該第一厚度的比值介于0.42～2.58之間。

11.如權利要求5所述的結構，其特征在于，該第二厚度與該第一厚度的比值介于0.18～1.152之間。

12.如權利要求6所述的結構，其特征在于，該第二厚度與該第一厚度的比值介于0.57～2.9之間。

13.一種內埋式面封裝基板，其特征在于，包括：

多個線路基板單元，各該線路基板單元具有一核心層以及一非對稱線路結構，該核心層具有一第一厚度；

多個內埋元件，設置于該些線路基板單元的該核心層中；以及

一應力抵消層，設置于該些線路基板單元的一側，其中該應力抵消層具有一第二厚度，該內埋式面封裝基板的翹曲量小于5mm。

14.如權利要求13所述的基板，其特征在于，該非對稱線路結構包含一上導電層，設置于該核心層的一側并與該內埋元件電性連接，其中該應力抵消層的該第二厚度取決于該上導電層的殘銅率及厚度。

15.如權利要求13所述的基板，其特征在于，該非對稱線路結構包含至少二層上導電層以及至少一介電材料層，該至少二層上導電層設置于該核心層的另一側并與該內埋元件電性連接，該至少一介電材料層設置于該至少二層上導電層之間，其中該應力抵消層的該第二厚度取決于該至少二層上導電層的殘銅率及厚度與該至少一介電材料層的厚度。

16.如權利要求15所述的基板，其特征在于，該非對稱線路結構更包含一下導電層，與該應力抵消層同側設置于該核心層上，該應力抵消層的該第二厚度更進一步取決于該下導電層的殘銅率及厚度。