[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910490846.0
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN110581134A
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 瀧澤直樹;齊藤朋也
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11519
• 分類號: H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 李輝

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

第一突出，所述第一突出是所述半導(dǎo)體襯底的所述第一區(qū)域的一部分，從所述半導(dǎo)體襯底的上表面突出，并且沿著所述半導(dǎo)體襯底的所述上表面在第一方向上延伸；

第二突出，所述第二突出是所述半導(dǎo)體襯底的所述第二區(qū)域的一部分，從所述半導(dǎo)體襯底的所述上表面突出，并且沿著所述半導(dǎo)體襯底的所述上表面在第二方向上延伸；

第一柵極電極，經(jīng)由包括第一電荷存儲部分的第一絕緣膜，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的、在所述第一區(qū)域中的所述上表面，并且覆蓋所述第一突出的上表面和側(cè)表面；

第一源極區(qū)域和第一漏極區(qū)域，形成在所述第一突出中以便在所述第一方向上將第一溝道形成區(qū)域夾在其間，所述第一溝道形成區(qū)域是在所述第一突出內(nèi)部的區(qū)域、并且用包括所述第一柵極電極的圖案覆蓋；

第二柵極電極，經(jīng)由包括第二電荷存儲部分的第二絕緣膜，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的、在所述第二區(qū)域中的所述上表面，并且覆蓋所述第二突出的上表面和側(cè)表面；以及

第二源極區(qū)域和第二漏極區(qū)域，形成在所述第二突出中，以便在所述第二方向上將第二溝道形成區(qū)域夾在其間，所述第二溝道形成區(qū)域是在所述第二突出內(nèi)部的區(qū)域，并且用包括所述第二柵極電極的圖案覆蓋，

其中所述第一柵極電極、所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域配置第一非易失性存儲器單元，

其中所述第二柵極電極、所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域配置第二非易失性存儲器單元，

其中所述第一柵極電極包括第一金屬膜，所述第一金屬膜具有與所述第一溝道形成區(qū)域的功函數(shù)不同的第一功函數(shù)，

其中所述第二柵極電極包括第二金屬膜，所述第二金屬膜具有與所述第二溝道形成區(qū)域的功函數(shù)不同的第二功函數(shù)，并且

其中所述第一功函數(shù)和所述第二功函數(shù)彼此不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一金屬膜和所述第二金屬膜中的每個金屬膜分別包括多個金屬膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一金屬膜的厚度大于所述第二金屬膜的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第三柵極電極，與所述第一柵極電極相鄰，并且經(jīng)由第三絕緣膜覆蓋所述第一突出的所述上表面和側(cè)表面；以及

第四柵極電極，與所述第二柵極電極相鄰，并且經(jīng)由第四絕緣膜覆蓋所述第二突出的所述上表面和側(cè)表面，

其中所述第一柵極電極、所述第三柵極電極、所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域配置所述第一非易失性存儲器，并且

其中所述第二柵極電極、所述第四柵極電極、所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域配置所述第二非易失性存儲器單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第五絕緣膜，覆蓋所述第三柵極電極的上表面，并且暴露所述第一柵極電極的上表面；

第六絕緣膜，覆蓋所述第四柵極電極的上表面，并且暴露所述第二柵極電極的上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一金屬膜覆蓋所述第一絕緣膜的側(cè)表面，并且

其中所述第二金屬膜覆蓋所述第二絕緣膜的側(cè)表面。