[發明專利]壓電陶瓷、壓電元件和電子裝置

在審

• 申請號: 201910488552.4
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN110581211A
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發明（設計）人: 上林彰;大志萬香菜子;久保田純;古田達雄;清水康志;島田幹夫;有井千明
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L41/187
• 分類號: H01L41/187
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 曾琳

1.一種包括晶粒的壓電陶瓷，其特征在于，每個晶粒包括：

第一區域，所述第一區域由具有其中單位格子的中心元素位于非對稱位置處的晶體結構的鈣鈦礦型金屬氧化物形成；以及

第二區域，所述第二區域由具有其中單位格子的中心元素位于對稱位置處的晶體結構的鈣鈦礦型金屬氧化物形成，并且存在于第一區域的內部，

其中，所述第二區域的橫截面積與所述壓電陶瓷的橫截面積之比為0.1％或更小。

2.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述第一區域的橫截面積與所述壓電陶瓷的橫截面積之比為99％或更大。

3.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述晶粒中的每個的外圍部分被第一區域占據。

4.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述壓電陶瓷具有100℃或更高的居里溫度。

5.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述壓電陶瓷在25℃下具有80pm/V或更大的壓電常數的絕對值|d₃₁|。

6.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述晶粒具有1.0μm或更大且10μm或更小的平均等效圓直徑。

7.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述壓電陶瓷具有93％或更大且100％或更小的相對密度。

8.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述第二區域具有立方體或GdFeO₃型晶體結構。

9.根據權利要求8所述的壓電陶瓷，其中，所述第二區域的晶體結構用空間群Pnma表示。

10.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，所述第一區域的晶體結構用空間群P4mm表示。

11.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，形成所述第二區域的金屬氧化物包括Ca和Ti。

12.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，其中，形成所述第一區域的金屬氧化物包括Ba和Ti。

13.根據權利要求1所述的壓電陶瓷，

其中，形成所述第二區域的金屬氧化物包括Ca和Ti，以及

其中，形成所述第一區域的金屬氧化物包括Ba和Ti。

14.根據權利要求13所述的壓電陶瓷，其中，所述壓電陶瓷具有5.5g/cm³或更大且5.8g/cm³或更小的絕對密度。

15.一種壓電元件，其特征在于，包括：

電極；以及

至少一個壓電陶瓷部分，

其中，形成所述至少一個壓電陶瓷部分的壓電陶瓷包括根據權利要求1所述的壓電陶瓷。

16.根據權利要求15所述的壓電元件，

其中，所述電極和所述至少一個壓電陶瓷部分交替地堆疊。

17.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括根據權利要求15或16所述的壓電元件。