[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201910487210.0
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN111640743B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 詹益旺;黃永泰;童宇誠;朱賢士;黃豐銘;巫俊良
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有多個有源區，以及所述襯底中還形成有多個位線接觸窗，所述位線接觸窗中暴露有至少部分所述有源區；以及，

多條位線，形成在所述襯底上，所述位線沿著第一方向延伸并和相應的有源區相交，所述位線包括由下至上連續堆疊設置第一導電層和第二導電層；或者，所述位線包括由下至上連續堆疊設置第一導電層、第三導電層和第二導電層；

其中，所述第一導電層的寬度尺寸小于所述第二導電層的寬度尺寸，以及所述位線中與所述有源區相交的部分構成位線接觸部，所述位線接觸部中的第一導電層的底部延伸至所述位線接觸窗中。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，在垂直于所述第一方向上，所述位線接觸窗的開口尺寸大于所述位線接觸部中的第一導電層的寬度尺寸，以使所述位線接觸部中的第一導電層在垂直于第一方向上與所述位線接觸窗的側壁相互間隔；

以及，在所述位線接觸部的第一導電層和所述位線接觸窗的側壁之間還填充有絕緣材料層。

3.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底中還形成有多個隔離結構，所述隔離結構圍繞在所述有源區的外圍；其中，所述位線接觸窗還從所述有源區橫向延伸至與有源區鄰接的隔離結構。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括：

隔離側墻，保形的覆蓋所述位線的側壁，所述隔離側墻包括至少兩層隔離層，所述至少兩層隔離層的材料包括氮化硅和氧化硅。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括：

第一隔離層，保形的覆蓋所述位線的側壁，其中覆蓋于所述第一導電層的第一隔離層的外側壁邊界未超出所述第二導電層的外側壁邊界。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括：

第二隔離層，覆蓋所述位線的側壁，其中覆蓋于所述第一導電層的第二隔離層的外側壁邊界超出所述第二導電層的外側壁邊界。

7.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第三導電層的寬度尺寸大于所述第一導電層的寬度尺寸，并小于等于所述第二導電層的寬度尺寸；或者，所述第三導電層的寬度尺寸小于所述第二導電層的寬度尺寸，并大于等于所述第一導電層的寬度尺寸。

8.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線具有所述位線接觸部和連接相鄰位線接觸部的位線連接部，所述位線連接部形成在相鄰位線接觸窗之間的襯底頂表面上。

9.如權利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述位線接觸部中的第一導電層的頂部延伸出所述位線接觸窗，并與所述位線連接部中的第一導電層連接。

10.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底中形成有多個有源區；

形成多個位線接觸窗在所述襯底中，所述位線接觸窗暴露出至少部分出所述有源區；

依次形成一第一導電材料層和一第二導電材料層在所述襯底上，并填充所述位線接觸窗，以及形成圖形化的掩膜圖案層在所述第二導電材料層上，所述掩膜圖案層包括多條掩膜線條，所述掩膜線條沿著第一方向延伸；

以所述掩膜圖案層為掩膜執行第一刻蝕工藝，所述第一刻蝕工藝包括刻蝕所述第二導電材料層，以形成圖形化的第二導電層；以及，

執行第二刻蝕工藝，所述第二刻蝕工藝包括刻蝕所述第一導電材料層，以形成圖形化的第一導電層，其中在執行所述第二刻蝕工藝的過程中，刻蝕劑側向侵蝕位于所述第二導電層正下方的第一導電材料層，以使所形成的所述第一導電層的寬度尺寸小于所述第二導電層的寬度尺寸，并利用所述第一導電層和所述第二導電層構成存儲器的位線。

11.如權利要求10所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一導電材料層之后，以及形成所述第二導電材料層之前，還包括：

形成一第三導電材料層在所述第一導電材料層上。