[發(fā)明專利]晶圓測(cè)試方法及晶圓測(cè)試裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910486619.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110164789A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉昌江;周杰;田茂;謝家紅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 管芯 晶圓測(cè)試 目標(biāo)管 晶圓 晶圓測(cè)試裝置 測(cè)試信息 基本信息 目標(biāo)坐標(biāo) 偏移 測(cè)試管 對(duì)焦 半導(dǎo)體制造技術(shù) 晶圓測(cè)試機(jī)臺(tái) 測(cè)試 測(cè)試機(jī)臺(tái) 快速確定 移動(dòng)探針 位置處 探針 種晶 匹配 | ||
1.一種晶圓測(cè)試方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一晶圓,所述晶圓中具有多個(gè)管芯;
于所述晶圓的邊緣選擇至少一個(gè)管芯作為目標(biāo)管芯,并獲取所述目標(biāo)管芯的目標(biāo)坐標(biāo)以及所述目標(biāo)管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯的基本信息;
移動(dòng)探針至所述目標(biāo)坐標(biāo)處,并以當(dāng)前探針?biāo)鶎?duì)應(yīng)位置處的管芯作為測(cè)試管芯;
采用探針對(duì)所述測(cè)試管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯進(jìn)行測(cè)試,獲取多個(gè)測(cè)試信息;
判斷多個(gè)所述基本信息與多個(gè)所述測(cè)試信息是否一一匹配,若否,則確認(rèn)測(cè)試機(jī)臺(tái)發(fā)生對(duì)焦偏移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試方法,其特征在于,所述基本信息包括每一相鄰管芯相對(duì)于所述目標(biāo)管芯的位置信息及其所對(duì)應(yīng)的管芯類型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓測(cè)試方法,其特征在于,獲取所述目標(biāo)管芯的目標(biāo)坐標(biāo)以及所述目標(biāo)管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯的基本信息的具體步驟包括:
獲取分別位于所述目標(biāo)管芯上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)和右側(cè)的相鄰管芯的基本信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓測(cè)試方法,其特征在于,于所述晶圓的邊緣選擇至少一個(gè)管芯作為目標(biāo)管芯的具體步驟包括:
于所述晶圓的邊緣選擇多個(gè)管芯分別作為目標(biāo)管芯,且多個(gè)所述目標(biāo)管芯分布于所述晶圓一徑向方向的相對(duì)兩側(cè),并分別獲取每一所述目標(biāo)管芯的目標(biāo)坐標(biāo)以及所述目標(biāo)管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯的基本信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓測(cè)試方法,其特征在于,于所述晶圓的邊緣選擇多個(gè)管芯分別作為目標(biāo)管芯的具體步驟包括:
多個(gè)所述目標(biāo)管芯關(guān)于所述晶圓的中心對(duì)稱分布,且位于每一所述目標(biāo)管芯相對(duì)兩側(cè)的相鄰管芯的管芯類型互不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓測(cè)試方法,其特征在于,于所述晶圓的邊緣選擇多個(gè)管芯分別作為目標(biāo)管芯的具體步驟包括:
多個(gè)所述目標(biāo)管芯關(guān)于所述晶圓的中心非對(duì)稱分布。
7.一種晶圓測(cè)試裝置,其特征在于,包括:
選擇模塊,用于從所述晶圓的邊緣選擇至少一個(gè)管芯作為目標(biāo)管芯,所述晶圓中具有多個(gè)管芯,所述目標(biāo)管芯位于所述晶圓的邊緣;
存儲(chǔ)模塊,連接所述選擇模塊,用于獲取所述目標(biāo)管芯的目標(biāo)坐標(biāo)以及所述目標(biāo)管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯的基本信息;
測(cè)試模塊,連接所述存儲(chǔ)模塊,所述測(cè)試模塊包括探針,用于將探針移動(dòng)至所述目標(biāo)坐標(biāo)處,并以當(dāng)前探針?biāo)鶎?duì)應(yīng)位置處的管芯作為測(cè)試管芯;所述測(cè)試模塊還用于控制所述探針對(duì)所述測(cè)試管芯周圍的多個(gè)相鄰管芯進(jìn)行測(cè)試,獲取多個(gè)測(cè)試信息;
比較模塊,連接所述測(cè)試模塊、所述存儲(chǔ)模塊,用于判斷多個(gè)所述基本信息與多個(gè)所述測(cè)試信息是否一一匹配,若否,則確認(rèn)測(cè)試機(jī)臺(tái)發(fā)生對(duì)焦偏移。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓測(cè)試裝置,其特征在于,所述基本信息包括每一相鄰管芯相對(duì)于所述目標(biāo)管芯的位置信息及其所對(duì)應(yīng)的管芯類型。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓測(cè)試裝置,其特征在于,所述存儲(chǔ)模塊用于獲取分別位于所述目標(biāo)管芯上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)和右側(cè)的相鄰管芯的基本信息。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓測(cè)試裝置,其特征在于,所述選擇模塊用于從所述晶圓的邊緣選擇多個(gè)管芯分別作為目標(biāo)管芯,且多個(gè)所述目標(biāo)管芯分布于所述晶圓一徑向方向的相對(duì)兩側(cè),并分別獲取每一所述目標(biāo)管芯的目標(biāo)坐標(biāo)以及所述目標(biāo)管芯周圍多個(gè)相鄰管芯的基本信息。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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