[發明專利]一種可自觸發自保護的超導薄膜開關

在審

• 申請號: 201910485414.0
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN110112283A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 梁樂;王豫;嚴仲明;何應達
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: H01L39/16
• 分類號: H01L39/16;H01L39/02;H01L39/10
• 代理公司: 成都信博專利代理有限責任公司 51200
• 代理人: 王沙沙

1.一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，包括超導薄膜單元(1)，超導薄膜單元(1)包括基底層(11)；還包括設置在基底層(11)一側的超導薄膜開關層，設置在基底層(11)另一側與超導薄膜開關層對稱的觸發層和與超導薄膜開關層串聯的保護層；超導薄膜單元(1)與超導磁體SM并聯后連接到主回路；觸發層連接到觸發回路；還包括與超導薄膜單元(1)并聯的負載電阻R_L。

2.根據權利要求1所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述超導薄膜開關層包括臨界電流不同的左超導薄膜層(13)和右超導薄膜層(13)。

3.根據權利要求1所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述超導薄膜開關層表面設置有金屬保護層。

4.根據權利要求3所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述觸發層和保護層表面均設置有金屬保護層。

5.根據權利要求1所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述超導薄膜開關層、觸發層、保護層均為釔鋇銅氧制備，厚度為300～500nm。

6.根據權利要求1所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述基底層(11)為鋁酸鑭制備，厚度為0.5cm。

7.根據權利要求4所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述金屬保護層為金層，厚度為100～300nm。

8.根據權利要求1所述的一種可自觸發自保護的超導薄膜開關，其特征在于，所述主回路還包括用于放置電流反沖的二極管VD。