[發明專利]一種負離子發生電路

在審

• 申請號: 201910484234.0
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN110048309A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 黃偉軍
• 申請（專利權）人: 新立科技股份有限公司
• 主分類號: H01T23/00
• 分類號: H01T23/00
• 代理公司: 臺州市凱銳專利代理事務所(普通合伙) 33300
• 代理人: 劉寧寧

1.一種負離子發生電路，包括直流電源模塊、與直流電源模塊連接的濾波整流部、與濾波整流部連接的自激振蕩部、連接在自激振蕩部內的升壓變壓器T1、與升壓變壓器T1連接的倍壓整流部以及與倍壓整流部連接的發射部，其特征在于，所述濾波整流部包括電容C1、瞬態抑制穩壓管DZ1、二極管D1、磁珠B1、電感L4以及電容C2，所述電容C1的一端、瞬態抑制穩壓管DZ1的一端以及二極管D1的一端均連接至濾波整流部的高壓端，所述電容C1的另一端以及瞬態抑制穩壓管DZ1的另一端均連接至濾波整流部的低壓端，所述二極管D1的另一端與磁珠B1串聯，所述磁珠B1的另一端與電感L4串聯，所述電感L1的另一端與電解電容C2的正極串聯，所述電解電容C2的負極連接到電路地GND。

2.根據權利要求1所述的負離子發生電路，其特征在于，所述自激振蕩部包括LC選頻部和三極管振蕩部，所述三極管振蕩部包括三極管Q1、電容C9以及電感L2，所述電容C9的一端連接至三極管Q1的基極，所述電容C9的另一端連接至三極管Q1的發射極并接至電路地GND，所述電感L2的一端連接到電解電容C2的正極，所述電感L2的另一端連接到三極管Q1的集電極。

3.根據權利要求2所述的負離子發生電路，其特征在于，所述LC選頻部包括電阻R1、電阻R2、電容C3以及電感L1，所述電阻R1的一端、電容C3的一端均與電解電容C2的正極連接，所述電容C3的另一端連接至電阻R1的另一端，所述電阻R1的另一端連接至電阻R2的一端，所述電感L1的一端連接至電阻R2的另一端，所述電感L1的另一端連接至三極管的基極。

4.根據權利要求3所述的負離子發生電路，其特征在于，所述升壓變壓器T1包括兩個初級繞組和一個次級繞組L3，所述電感L1和電感L2分別形成上述的兩個初級繞組L1、L2，所述電阻R2的另一端連接至初級繞組L1的一端，所述初級繞組L1的另一端連接至三極管Q1的基極，所述初級繞組L2的一端連接至三極管Q1的集電極，所述初級繞組L2的另一端連接至電阻R1上與電解電容C2的正極連接的一端，所述初級繞組L1跟電阻R2連接的一端與初級繞組L2跟三極管Q1集電極連接的一端互為同名端，所述次級繞組L3與倍壓整流部連接。

5.根據權利要求4所述的負離子發生電路，其特征在于，所述倍壓整流部包括三個高壓電容HC4、HC5、HC6以及三個高壓硅堆HD2、HD3、HD5，所述次級線圈L3的同名端與高壓電容HC4的一端連接，所述高壓電容HC4的另一端同時連接至高壓硅堆HD2的正極、高壓硅堆HD3的負極，所述高壓硅堆HD2的負極連接至高壓電容C5的一端，所述高壓電容HC5的另一端同時連接至高壓硅堆HD3的正極、高壓電容HC6的一端以及次級線圈L3的異名端，所述高壓電容HC6的另一端連接至高壓硅堆HD5的正極，所述高壓硅堆HD5的負極連接至次級線圈L3的同名端。

6.根據權利要求5所述的負離子發生電路，其特征在于，所述發射部包括下拉電阻R3、限流電阻R4、R5以及與限流電阻R5的一端連接的發射尖端A，所述下拉電阻R3的一端連接在電路地GND，所述限流電阻R4的一端連接在參考地上，所述拉低電阻R3的另一端、限流電阻R4的一端均連接至高壓硅堆HD2的負極，所述限流電阻R5的另一端連接至高壓硅堆HD5的正極。

7.根據權利要求4所述的負離子發生電路，其特征在于，所述初級繞組L2上連接有振蕩反饋部，所述振蕩反饋部主要由電容C7和C8、二極管D4和D6、電阻R6、R7組成，所述初級繞組L2的同名端與二極管D4的負極連接，所述二極管D4的負極與二極管D6的正極連接，所述二極管D6的負極同時連接在電容C8的一端和電阻R6的一端，所述二極管D4的正極同時連接在電容C8的另一端和電阻R7的一端并接在電源地GND上，所述電阻R6的另一端與電阻R7的另一端連接并連接到直流電源模塊的監控端口。