[發明專利]基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法有效
| 申請號: | 201910478464.6 | 申請日: | 2019-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN110142410B | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 劉一菲;程嘉輝;和祥;陳震;謝維棟;周睿 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | B22F3/11 | 分類號: | B22F3/11;C25D11/26;C23C26/00;C25B1/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 張海平 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 表面 復合 涂層 電極 制備 酸性 氧化 電位 方法 | ||
1.一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:包括如下步驟:
1)微珠燒結處理:將鈦珠進行燒結,得到多孔鈦A;
2)微弧氧化處理:將步驟1)制備的多孔鈦A置于電解液中進行微弧氧化,在多孔鈦A的外表面生成二氧化鈦微孔結構的微弧氧化涂層,烘干后得到具有微弧氧化鈦涂層的多孔鈦B;
3)水熱處理:將步驟2)得到的多孔鈦B浸沒于含有錫源的水熱溶液中,通過水熱處理在多孔鈦B的微弧氧化鈦涂層外表面生長二氧化錫納米棒狀結構,烘干后得到具有微弧氧化鈦-氧化錫復合涂層的多孔鈦C;
4)釕鹽熱處理:將步驟3)得到的多孔鈦C表面浸潤釕溶液,然后依次進行烘干和熱處理,得到多孔鈦表面微弧氧化鈦-氧化錫-氧化釕復合涂層電極;
5)組裝電解槽:采用步驟4)中得到的多孔鈦表面微弧氧化鈦-氧化錫-氧化釕復合涂層電極作為電解槽陰陽極,并將電解槽陰陽極與電解電源相連接,在電解槽中央固定放置陽離子交換膜;向電解槽中加入電解液;
6)制備酸性氧化電位水:接通電解電源開關進行電解;電解完成后,收集保存酸性氧化電位水。
2.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟1)中,鈦珠放置于高強石墨模具中進行燒結;鈦珠采用直徑為200μm~700μm的TA2工業純鈦、TA3工業純鈦、TA4工業純鈦或TC4鈦合金。
3.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟1)中,燒結溫度為800~1500℃,燒結時間為1~3h。
4.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟2)中,電解液是乙二胺四乙酸二鈉與氫氧化鈉溶于水中形成混合溶液,其中,乙二胺四乙酸二鈉的濃度為0.2~0.6mol/L,氫氧化鈉的濃度為0.4~0.6mol/L;微弧氧化時,電解液的溫度在65~70℃。
5.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟2)中,以多孔鈦A為陽極,以不銹鋼板為陰極對多孔鈦A進行微弧氧化;微弧氧化的參數如下:微弧氧化采用脈沖電壓,正電壓為480~500V,負電壓為60~80V,微弧氧化脈沖頻率為800~1500Hz,微弧氧化的占空比為15%~25%,微弧氧化時間為8~15min。
6.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟3)中,水熱溶液是將氫氧化鈉、四氯化錫、去離子水與無水乙醇混合制得,其中氫氧化鈉濃度為0.01~0.9mol/L,四氯化錫濃度為0.01~0.05mol/L,去離子水和無水乙醇的體積比為(1.5~3.5):1;水熱處理是在130~260℃下處理0.5~24h。
7.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟4)中,釕溶液是將釕鹽加入到水中制得,釕溶液的濃度為35mg/mL~50mg/mL;釕鹽為乙酸釕、氯化釕或硫酸釕。
8.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟4)中,將步驟3)得到的多孔鈦C用提拉法提拉1~10次完成浸潤釕溶液;烘干溫度在50℃~90℃;熱處理的溫度為250℃~600℃,時間為1.5h~4.5h。
9.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟5)中,電解電源為直流電源,電壓為5~10V;電解液采用濃度為5~20g/L的NaCl溶液。
10.根據權利要求1所述的一種基于鈦表面復合涂層電極制備酸性氧化電位水的方法,其特征在于:所述的步驟6)中,電解時間為10~20min;酸性氧化電位水位于陽極側。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安交通大學,未經西安交通大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910478464.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高壓選區激光熔化制備含氮合金的方法
- 下一篇:金屬構件成型設備





